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1. (WO2010004705) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE L'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATIL UTILISANT L'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004705    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003055
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 01.07.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MITANI, Satoru; (US Seulement).
KANZAWA, Yoshihiko; (US Seulement).
KATAYAMA, Koji; (US Seulement).
TAKAGI, Takeshi; (US Seulement)
Inventeurs : MITANI, Satoru; .
KANZAWA, Yoshihiko; .
KATAYAMA, Koji; .
TAKAGI, Takeshi;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1 Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-180946 11.07.2008 JP
Titre (EN) NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE L'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATIL UTILISANT L'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL
(JA) 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a nonvolatile memory element comprising a first electrode (103), a second electrode (108), and a resistance change layer (107) that is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (108) and undergoes a reversible change in a resistance value in response to an electric signal applied across both the electrodes (103, 108).  The resistance change layer (107) has at least a laminate structure comprising a first hafnium-containing layer having a composition represented by HfOx, wherein 0.9 ≤ x ≤ 1.6, and a second hafnium-containing layer having a composition represented by HfOy, wherein 1.8 < y < 2.0, stacked on top of each other.
(FR)L'invention porte sur un élément de mémoire non volatil comprenant une première électrode (103), une seconde électrode (108) et une couche à changement de résistance (107) qui est interposée entre la première électrode (103) et la seconde électrode (108) et subit un changement réversible d'une valeur de résistance en réponse à un signal électrique appliqué entre les deux électrodes (103, 108). La couche à changement de résistance (107) comporte au moins une structure de laminat comprenant une première couche contenant de l'hafnium dont la composition est représentée par HfOx, où 0,9 ≤ x ≤ 1,6, et une seconde couche contenant de l'hafnium dont la composition est représentée par HfOy, où 1,8 < y < 2,0, empilées l'une sur l'autre.
(JA) 本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極(103)と、第2電極(108)と、第1電極(103)と第2電極(107)との間に介在され、両電極(103),(108)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(107)とを備え、この抵抗変化層(107)は、HfO(但し、0.9≦x≦1.6)で表される組成を有する第1のハフニウム含有層と、HfO(但し、1.8<y<2.0)で表される組成を有する第2のハフニウム含有層とが積層された積層構造を少なくとも有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)