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1. (WO2010004675) ÉLÉMENT DE RÉDUCTION DE COURANT, ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DES ÉLÉMENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004675    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/001988
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 01.05.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ARITA, Koji; (US Seulement).
MIKAWA, Takumi; (US Seulement).
IIJIMA, Mitsuteru; (US Seulement).
OKADA, Takashi; (US Seulement)
Inventeurs : ARITA, Koji; .
MIKAWA, Takumi; .
IIJIMA, Mitsuteru; .
OKADA, Takashi;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1 Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-180945 11.07.2008 JP
Titre (EN) CURRENT REDUCTION ELEMENT, MEMORY ELEMENT, AND METHODS FOR MANUFACTURE OF THE ELEMENTS
(FR) ÉLÉMENT DE RÉDUCTION DE COURANT, ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DES ÉLÉMENTS
(JA) 電流抑制素子、記憶素子、及びこれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a memory element (3) comprising: resistance change elements (1) which are arranged in matrix in a memory device, can change in the electric resistance value when an electric pulse having a positive or negative polarity is applied to the resistance change elements (1), and can maintain the changed electric resistance value; and current reduction elements (2) which can reduce a current that flows upon the application of an electric pulse to the resistance change elements (1).  Each of the current reduction elements (2) comprises a first electrode, a second electrode, and a current reduction layer arranged between the first electrode and the second electrode.  The current reduction layer is composed of SiNx, and at least one of the first electrode and the second electrode is composed of α-tungsten.
(FR)L'invention porte sur un élément de mémoire (3) comprenant : des éléments à changement de résistance (1) qui sont agencés en matrice dans un dispositif de mémoire, dont la valeur de résistance électrique peut changer lorsqu'une impulsion électrique ayant une polarité positive ou négative est appliquée aux éléments à changement de résistance (1), et qui peuvent conserver la valeur de résistance électrique changée ; et des éléments de réduction de courant (2) qui peuvent réduire un courant qui circule lors de l'application d'une impulsion électrique aux éléments à changement de résistance (1). Chacun des éléments de réduction de courant (2) comprend une première électrode, une seconde électrode et une couche de réduction de courant agencée entre la première électrode et la seconde électrode. La couche de réduction de courant est composée de SiNx, et au moins l'une de la première électrode et de la seconde électrode est composée de tungstène α.
(JA) 記憶装置にマトリクス状に配設された、極性が正または負の電気パルスの印加によりその電気抵抗値が変化しかつ該変化した後の電気抵抗値を維持する抵抗変化素子(1)と、抵抗変化素子(1)に電気パルスの印加時に流れる電流を抑制する電流抑制素子(2)と、を備える記憶素子(3)であって、電流抑制素子(2)は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配設された電流抑制層と、を備える。電流抑制層が、SiNにより構成され、第1の電極及び第2の電極の少なくとも一方がα-タングステンにより構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)