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1. (WO2010003321) DISPOSITIF D’INJECTION DE GAZ ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR INCLUANT LE DISPOSITIF D’INJECTION DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/003321    N° de la demande internationale :    PCT/CN2009/070409
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 12.02.2009
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), C23F 1/08 (2006.01)
Déposants : BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; NO.1 East Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100016 (CN) (Tous Sauf US).
WANG, Zhisheng [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Zhisheng; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu Room 718, Beijing Capital Times Square 88 Xichang'an Avenue, Xicheng District Beijing 100031 (CN)
Données relatives à la priorité :
200810116382.9 09.07.2008 CN
Titre (EN) A GAS INJECTION DEVICE AND A SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE GAS INJECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’INJECTION DE GAZ ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR INCLUANT LE DISPOSITIF D’INJECTION DE GAZ
(ZH) 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备
Abrégé : front page image
(EN)A gas injection device equipped with a gas injection main unit for semiconductor processing apparatus. The said unit comprises a central air channel and at least a peripheral air channel along the axial direction. Each air channel comprises in sequence an admitting port, a gas passage, a vent hole, wherein the minimum area of each gas vent hole is smaller than the minimum area of the corresponding gas passage. The invention further discloses a semiconductor processing apparatus including the said gas injection device. The device and the apparatus can increase the injection speed of the process gas, make the gas distribution equably, and avoid the gas strike a light effectively. It has good effect applied in the bigger chamber.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif d’injection de gaz équipé d’une unité principale d’injection de gaz pour un appareil de traitement de semi-conducteur. Ladite unité comprend un canal d’air central et au moins un canal d’air périphérique dans la direction axiale. Chaque canal d’air comprend successivement un orifice d’admission, un passage de gaz et un évent, la zone minimale de chaque évent de gaz étant inférieure à la zone minimale du passage de gaz correspondant. L’invention a également trait à un appareil de traitement de semi-conducteur incluant ledit dispositif d’injection de gaz. Le dispositif et l’appareil permettent d’augmenter la vitesse d’injection du gaz de traitement, de distribuer uniformément le gaz et d’éviter que le gaz ne heurte vraiment une lumière. Utilisés dans la plus grande chambre, ils ont un effet positif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)