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1. (WO2010003228) STRUCTURES MICROÉLECTROMÉCANIQUES EN CÉRAMIQUE BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/003228    N° de la demande internationale :    PCT/CA2009/000931
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 08.07.2009
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), B81B 7/02 (2006.01)
Déposants : THE ROYAL INSTITUTION FOR THE ADVANCEMENT OF LEARNING/MCGIII UNIVERSITY [CA/CA]; 1555 Peel Street, 11th Floor Montreal, Quebec H3A 3L8 (CA) (Tous Sauf US).
EL-GAMAL, Mourad [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
CICEK, Paul-Vahé [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
NABKI, Frederic [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : EL-GAMAL, Mourad; (CA).
CICEK, Paul-Vahé; (CA).
NABKI, Frederic; (CA)
Mandataire : KLOTZ, Trevor, C.; Perley-Robertson, Hill & McDougall LLP/s.r.l 1400-340 Albert Street Ottawa, ON K1R 0A4 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/129,644 09.07.2008 US
Titre (EN) LOW TEMPERATURE CERAMIC MICROELECTROMECHANICAL STRUCTURES
(FR) STRUCTURES MICROÉLECTROMÉCANIQUES EN CÉRAMIQUE BASSE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of providing microelectromechanical structures (MEMS) that are compatible with silicon CMOS electronics is provided. The method providing for processes and manufacturing sequences limiting the maximum exposure of an integrated circuit upon which the MEMS is manufactured to below 35O°C, and potentially to below 25O°C, thereby allowing direct manufacturing of the MEMS devices onto electronics, such as Si CMOS circuits. The method further providing for the provisioning of MEMS devices with multiple non-conductive structural layers such as silicon carbide separated with small lateral gaps. Such silicon carbide structures offering enhanced material properties, increased environmental and chemical resilience whilst also allowing novel designs to be implemented taking advantage of the non-conductive material of the structural layer. The use of silicon carbide being beneficial within the formation of MEMS elements such as motors, gears, rotors, translation drives, etc where increased hardness reduces wear of such elements during operation.
(FR)L'invention porte sur un procédé de réalisation de structures microélectromécaniques (MEMS) qui sont compatibles avec des circuits électroniques (CMOS) (métal-oxyde-semi-conducteur complémentaires) en silicium. Le procédé procure des processus et des séquences de fabrication limitant l'exposition maximale d'un circuit intégré sur lequel la structure microélectromécanique est fabriquée en dessous de 350°C, et, éventuellement, en dessous de 250°C, de façon à permettre ainsi une fabrication directe des dispositifs à structure microélectromécanique sur des circuits électroniques, tels que des circuits CMOS ou Si. Le procédé porte de plus sur la réalisation de dispositifs à structure microélectromécanique avec de multiples couches structurelles non conductrices telles que du carbure de silicium séparé par de petits espaces latéraux. De telles structures au carbure de silicium offrent des propriétés de matériau améliorées, une résilience chimique vis-à-vis de l'environnement accrue, tout en permettant également de réaliser de nouvelles configurations en tirant partie du matériau non conducteur de la couche structurelle. L'utilisation de carbure de silicium est bénéfique dans la formation d'éléments microélectromécaniques tels que des moteurs, des engrenages, des rotors, des entraînements en translation, entre autres, dans lesquels une dureté accrue réduit l'usure de tels éléments durant le fonctionnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)