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1. (WO2010003059) NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS STABLES CONTENANT DE L'INDIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/003059    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049517
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 02.07.2009
CIB :
B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 5791 Van Allen Way Carlsbad, CA 92008 (US) (Tous Sauf US).
BARTEL, Joseph [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Yongfen [CN/US]; (US) (US Seulement).
TULSKY, Eric [US/US]; (US) (US Seulement).
TREADWAY, Joseph [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BARTEL, Joseph; (US).
CHEN, Yongfen; (US).
TULSKY, Eric; (US).
TREADWAY, Joseph; (US)
Mandataire : GEAHIGAN, Karen; (US)
Données relatives à la priorité :
61/077,832 02.07.2008 US
Titre (EN) STABLE INDIUM-CONTAINING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
(FR) NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS STABLES CONTENANT DE L'INDIUM
Abrégé : front page image
(EN)Nanocrystals having an indium-based core and methods for making them and using them to construct core-shell nanocrystals are described. These core-shell nanocrystals are highly stable and provide higher quantum yields than known nanocrystals of similar composition, and they provide special advantages for certain applications because of their small size.
(FR)La présente invention concerne des nanocristaux ayant un noyau à base d'indium et leurs procédés de fabrication et leurs utilisations pour construire des nanocristaux à noyau central. Ces nanocristaux à noyau central sont très stables et fournissent des rendements quantiques plus élevés que ceux des nanocristaux connus de composition similaire, et ils apportent des avantages spéciaux à certaines applications du fait de leur petite taille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)