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1. (WO2010002881) PROGRAMMATION ET EFFACEMENT SÉLECTIF D'UNE MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002881    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049240
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
G11C 16/16 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
LUTZE, Jeffrey, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
LI, Yan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LUTZE, Jeffrey, E.; (US).
LI, Yan; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
12/167,135 02.07.2008 US
Titre (EN) PROGRAMMING AND SELECTIVELY ERASING NON-VOLATILE STORAGE
(FR) PROGRAMMATION ET EFFACEMENT SÉLECTIF D'UNE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A non- volatile storage system performs programming for a plurality of non-volatile storage elements and selectively performs re-erasing of at least a subset of the non-volatile storage elements that were supposed to remain erased, without intentionally erasing programmed data.
(FR)L'invention porte sur un système de mémoire non volatile qui effectue une programmation pour une pluralité d'éléments de mémoire non volatile et effectue de manière sélective un ré-effacement d'au moins un sous-ensemble des éléments de mémoire non volatile qui sont supposés rester effacés, sans effacement intentionnel de données programmées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)