WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010002875) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS POUR LA DÉTECTION DE NEUTRONS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002875    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049232
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
G01T 3/08 (2006.01)
Déposants : KERNS, David V., Jr., [US/US]; (US).
KERNS, Sherra E., [US/US]; (US).
SCHOR, Matthew J. [US/US]; (US)
Inventeurs : KERNS, David V., Jr.,; (US).
KERNS, Sherra E.,; (US).
SCHOR, Matthew J.; (US)
Mandataire : SHOUSE, Emily A.,; (US)
Données relatives à la priorité :
61/076,853 30.06.2008 US
Titre (EN) NEUTRON DETECTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS POUR LA DÉTECTION DE NEUTRONS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device for detection of neutron particles includes a detector layer (110) and an array (50) of multiple detector cells. Each detector cell (100) is switchable between first and second electrical states. Sensitive nodes (105) corresponding to each detector cell (100) cause the cells to switch electrical states in response to penetration of an alpha particle into the sensitive node. Read/write circuitry coupled to each of the detector cells (100) communicates the electrical states of each of the detector cells external to the device. A cavity (125) is etched in a cavity layer (120) over the sensitive nodes (105). A conversion layer (135) is deposited in the cavity (125) to emit alpha particles toward the sensitive zone in response to capture of neutron particles. The device may be manufactured in a conventional CMOS wafer foundry, including etching of the cavity, using conventional front side wafer processing techniques.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui est conçu pour détecter les particules que sont les neutrons et qui comporte une couche détectrice (110) et un réseau (50) de plusieurs cellules détectrices. Chaque cellule détectrice (100) est commutable entre des premiers et des seconds états électriques. Des nœuds sensibles (105) correspondant à chaque cellule détectrice (100) font que les cellules basculent vers des états électriques en réaction à la pénétration d'une particule alpha à l'intérieur du nœud sensible. Un circuit de lecture/écriture couplé à chacune des cellules détectrices (100) communique les états électriques de chacune des cellules détectrices extérieures au dispositif. Une cavité (125) est gravée dans une couche de cavité (120) au-dessus des nœuds sensibles (105). Une couche de conversion (135) est déposée dans la cavité (125) de façon à émettre les particules alpha en direction de la zone sensible en réaction à la capture de neutrons. Ce dispositif peut se fabriquer dans les fonderies utilisées pour les plaquettes CMOS conventionnelles selon les techniques conventionnelles de traitement des plaquettes par la face antérieure, y-compris pour la gravure de la cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)