WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010002694) FORMATION SÉLECTIVE DE COUCHES DIÉLECTRIQUES D'ARRÊT DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002694    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/048636
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 25.06.2009
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
KING, Sean [US/US]; (US) (US Seulement).
KLAUS, Jason [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KING, Sean; (US).
KLAUS, Jason; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/165,515 30.06.2008 US
Titre (EN) SELECTIVE FORMATION OF DIELECTRIC ETCH STOP LAYERS
(FR) FORMATION SÉLECTIVE DE COUCHES DIÉLECTRIQUES D'ARRÊT DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)Methods to selectively form a dielectric etch stop layer over a patterned metal feature. Embodiments include a transistor incorporating such an etch stop layer over a gate electrode. In accordance with certain embodiments of the present invention, a metal is selectively formed on the surface of the gate electrode which is then converted to a silicide or germanicide. In other embodiments, the metal selectively formed on the gate electrode surface enables a catalytic growth of a silicon or germanium mesa over the gate electrode. At least a portion of the silicide, germanicide, silicon mesa or germanium mesa is then oxidized, nitridized, or carbonized to form a dielectric etch stop layer over the gate electrode only.
(FR)La présente invention concerne des procédés permettant de réaliser une couche diélectrique d'arrêt de gravure au-dessus d'une structure métallique portant un motif. Certains modes de réalisation comportent un transistor intégrant une telle couche d'arrêt de gravure au-dessus d'une électrode de grille. D'après certains modes de réalisation de la présente invention, un métal est formé de façon sélective sur la surface de l'électrode de grille qui est alors convertie en un siliciure ou un germaniure. Dans d'autres modes de réalisation, le métal formé de façon sélective sur la surface de l'électrode de grille permet une croissance catalytique d'une table de silicium ou de germanium au-dessus de l'électrode de grille. Une partie au moins du siliciure, du germaniure, de la table de silicium ou de la table de germanium subit alors une oxydation, une nitruration, ou une carbonisation de façon à former une couche diélectrique d'arrêt de gravure uniquement au-dessus de l'électrode de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)