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1. (WO2010002666) MÉMOIRE NAND
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002666    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/048480
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 24.06.2009
CIB :
G11C 16/02 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
COULSON, Richard, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : COULSON, Richard, L.; (US)
Mandataire : MCCRACKIN, Ann, M.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.A. P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
12/165,319 30.06.2008 US
Titre (EN) NAND MEMORY
(FR) MÉMOIRE NAND
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a method and apparatus to refresh/rewrite the data in a NAND solid state storage device ("SSD") only when it needs to be re-written. Upon power-up, the SSD assumes that it may have been a long time since some of its data was last written, and a background task to scan through all the data is started in the SSD. During idle periods, the entire contents of the drive is read. If a location is read and it has more than "bit error threshold" bits (for example 3 bits if there is capability to correct 8 bits) in error before error correction is applied, it is assumed that this memory location is retaining the data only marginally, and the corrected data should be re-written to a new location, or alternatively re-written in the same location. The corrected data is then re-written to a new location or the same location.
(FR)L’invention concerne un procédé et un appareil permettant d’actualiser/de réécrire les données dans un dispositif de stockage à mémoire à semi-conducteurs NAND (« ssd »), uniquement en cas de nécessité de réécriture. Lors de la mise sous tension, le SSD part du principe que la dernière opération d’écriture de certaines de ses données remonte à une période éloignée, et une tâche de fond est lancée dans le SSD à des fins de balayage de l’ensemble des données. Durant les périodes de repos, la totalité des contenus du SSD est lue. Si un emplacement est lu et que ledit emplacement dépasse le « seuil d’erreur sur les bits » (par exemple, 3 bits si la capacité de correction s’étend à 8 bits) quant aux bits présentant des erreurs avant l’application de la correction d’erreurs, alors ledit emplacement de mémoire est considéré comme retenant des données uniquement de façon marginale, et lesdites données sont considérées comme devant être réécrites dans un autre emplacement ou sinon réécrites dans le même emplacement. Les données corrigées sont alors réécrites dans un autre emplacement ou dans le même emplacement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)