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1. (WO2010002645) INTERCONNEXION EN PONT DE RACCORDEMENT À TRAVERS DU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002645    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/048372
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 24.06.2009
CIB :
H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
CHANDRASEKARAN, Arvind [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHANDRASEKARAN, Arvind; (US)
Mandataire : KAMARCHIK, Peter; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
12/164,331 30.06.2008 US
Titre (EN) THROUGH SILICON VIA BRIDGE INTERCONNECT
(FR) INTERCONNEXION EN PONT DE RACCORDEMENT À TRAVERS DU SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit bridge interconnect system includes a first die and a second die provided in a side by side configuration and electrically interconnected to each other by a bridge die. The bridge die includes through silicon vias (TSVs) to connect conductive interconnect lines on the bridge die to the first die and the second die. Active circuitry, other than interconnect lines, may be provided on the bridge die. At least one or more additional die may be stacked on the bridge die and interconnected to the bridge die.
(FR)La présente invention concerne un système d’interconnexion en pont de circuit intégré qui comprend une première puce et une seconde puce formées dans une configuration côte à côte et interconnectées électriquement entre elles par une puce en pont. La puce en pont comprend des trous d’interconnexion à travers du silicium (TSV) pour connecter des lignes d’interconnexion conductrices sur la puce en pont à la première puce et à la seconde puce. Des circuits actifs différents des lignes d’interconnexion peuvent être formés sur la puce en pont. La ou les puces supplémentaires au moins peuvent être empilées sur la puce en pont et interconnectées à celle-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)