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1. (WO2010002637) SIGNAL DE RÉFÉRENCE DE VALEUR CONTRÔLÉE D'UN CIRCUIT DE MÉMOIRE À BASE DE RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002637    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/048301
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 23.06.2009
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
JUNG, Seong-Ook [KR/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Jisu [KR/KR]; (US) (US Seulement).
SONG, Jee-Hwan [KR/KR]; (US) (US Seulement).
KANG, Seung, H. [KR/US]; (US) (US Seulement).
YOON, Sei, Seung [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JUNG, Seong-Ook; (US).
KIM, Jisu; (US).
SONG, Jee-Hwan; (US).
KANG, Seung, H.; (US).
YOON, Sei, Seung; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
12/164,436 30.06.2008 US
Titre (EN) CONTROLLED VALUE REFERENCE SIGNAL OF RESISTANCE BASED MEMORY CIRCUIT
(FR) SIGNAL DE RÉFÉRENCE DE VALEUR CONTRÔLÉE D'UN CIRCUIT DE MÉMOIRE À BASE DE RÉSISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods of controlled value reference signals of resistance based memory circuits are disclosed. In a particular embodiment, a circuit device is disclosed that includes a first input configured to receive a reference control signal. The circuit device also includes an output responsive to the first input to selectively provide a controlled value reference voltage to a sense amplifier coupled to a resistance based memory cell.
(FR)L'invention porte sur des systèmes et sur des procédés de signaux de référence de valeur contrôlée de circuits de mémoire à base de résistance. Dans un mode de réalisation particulier, un dispositif de circuit est divulgué, lequel comprend une première entrée configurée pour recevoir un signal de commande de référence. Le dispositif de circuit comprend également une sortie sensible à la première entrée pour fournir sélectivement une tension de référence de valeur contrôlée à un amplificateur de détection couplé à une cellule de mémoire à base de résistance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)