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1. (WO2010002515) SUBSTRATS À BAS COÛT PRÉSENTANT DES PROPRIÉTÉS DE RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002515    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/044810
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 21.05.2009
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique Des Fontaines F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
MAZURE, Carlos [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
NGUYEN, Bich-yen [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAZURE, Carlos; (FR).
NGUYEN, Bich-yen; (US)
Mandataire : FANUCCI, Allan, A.; Winston & Strawn Llp Patent Department 1700 K Street, N.w. Washington, DC 20006-3817 (US)
Données relatives à la priorité :
0803696 30.06.2008 FR
61/093,887 03.09.2008 US
Titre (EN) LOW-COST SUBSTRATES HAVING HIGH-RESISTIVITY PROPERTIES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE
(FR) SUBSTRATS À BAS COÛT PRÉSENTANT DES PROPRIÉTÉS DE RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, the invention provides substrates that are structured so that devices fabricated in a top layer thereof have properties similar to the same devices fabricated in a standard high resistivity substrate. Substrates of the invention include a support having a standard resistivity, a semiconductor layer arranged on the support substrate having a high-resistivity, preferably greater than about 1000 Ohms-cm, an insulating layer arranged on the high-resistivity layer, and a top layer arranged on the insulating layer. The invention also provides methods for manufacturing such substrates.
(FR)Dans un mode de réalisation, l'invention concerne des substrats qui sont structurés de sorte que les dispositifs fabriqués dans une de leurs couches supérieures présentent des propriétés similaires aux mêmes dispositifs fabriqués dans un substrat à forte résistivité ordinaire. Les substrats selon l'invention comprennent un support comportant une résistivité standard, une couche semi-conductrice disposée sur le substrat de support présentant une forte résistivité, de préférence supérieure à environ 1000 ohms-cm, une couche isolante disposée sur la couche à forte résistivité, et une couche supérieure disposée sur la couche isolante. L'invention concerne aussi des procédés de fabrication de tels substrats.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)