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1. (WO2010002508) SUBSTRAT COMPRENANT DIFFÉRENTS TYPES DE SURFACES ET PROCÉDÉ POUR OBTENIR DE TELS SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002508    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/044365
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 18.05.2009
CIB :
H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique Des Fontaines F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
NGUYEN, Bich-Yen [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NGUYEN, Bich-Yen; (US)
Mandataire : FANUCCI, Allan, A.; Winston & Strawn LLP Patent Department 1700 K Street, N.W. Washington, DC 20006-3817 (US)
Données relatives à la priorité :
08/03700 30.06.2008 FR
61/093,920 03.09.2008 US
Titre (EN) SUBSTRATE COMPRISING DIFFERENT TYPES OF SURFACES AND METHOD FOR OBTAINING SUCH SUBSTRATES
(FR) SUBSTRAT COMPRENANT DIFFÉRENTS TYPES DE SURFACES ET PROCÉDÉ POUR OBTENIR DE TELS SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)A support having a larger density of crystalline defects, an insulating layer disposed on a first region of a front face of the support, and a superficial layer disposed on the insulating layer. An additional layer can be disposed at least on a second region of the front face of the support has a thickness sufficient to bury crystalline defects of the support. A substrate can also include an epitaxial layer arranged at least over the first region of the front face of the support, between the support and the insulation layer. Also, a method of making the substrate by forming a masking layer on the first region of the superficial layer and removing the superficial layer and the insulating layer in the second region uncovered by the masking layer. The additional layer is formed in the second region and then planarized.
(FR)L'invention porte sur un support ayant une densité plus importante de défauts cristallins, une couche isolante disposée sur une première région d'une face avant du support, et une couche superficielle disposée sur la couche isolante. Une couche supplémentaire peut être disposée au moins sur une seconde région de la face avant du support, laquelle a une épaisseur suffisante pour enfouir des défauts cristallins du support. Un substrat peut également comprendre une couche épitaxiale agencée au moins sur la première région de la face avant du support, entre le support et la couche isolante. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du substrat par formation d'une couche de masque sur la première région de la couche superficielle et retrait de la couche superficielle et de la couche isolante dans la seconde région non couverte par la couche de masque. La couche supplémentaire est formée dans la seconde région puis rendue plane.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)