WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010002045) MICROSTRUCTURE À RAPPORT HAUTEUR/LARGEUR ÉLEVÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET RÉSEAU DE MICROSTRUCTURES À RAPPORT HAUTEUR/LARGEUR ÉLEVÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/002045    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/003871
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 01.07.2008
CIB :
B82B 3/00 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 373-1, Guseong-dong Yuseong-gu Daejeon 305-701 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, SEUNG SEOB [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, SEOK WOO [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, JUNG A [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, SEUNG SEOB; (KR).
LEE, SEOK WOO; (KR).
LEE, JUNG A; (KR)
Mandataire : DYNE PATENT & LAW FIRM; 3rd Floor, Shinmyeong Building 645-21, Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-910 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0062547 30.06.2008 KR
Titre (EN) HIGH ASPECT RATIO MICROSTRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND HIGH ASPECT RATIO MICROSTRUCTURE ARRAY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) MICROSTRUCTURE À RAPPORT HAUTEUR/LARGEUR ÉLEVÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET RÉSEAU DE MICROSTRUCTURES À RAPPORT HAUTEUR/LARGEUR ÉLEVÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a high-aspect-ratio microstructure includes: a photomask attachment step of attaching a photomask with a pattern groove to one surface of a transparent substrate; a photoresist attachment step of attaching a negative photoresist to one surface of the photomask; an exposure step of irradiating light toward the opposite surface of the transparent substrate from the photomask to cure a portion of the negative photoresist with the light irradiated on the negative photoresist through the pattern groove; and a developing step of removing an uncured portion of the negative photoresist while leaving the cured portion of the negative photoresist as a microstructure. With this method, it is possible to produce the high-aspect-ratio microstructure in an easy and cost-effective manner.
(FR)L’invention concerne un procédé de production d’une microstructure à rapport hauteur/largeur élevé, comprenant : une étape de fixation d’un masque photographique consistant à fixer un masque photographique présentant un motif à fente sur une surface d’un substrat transparent ; une étape de fixation d’une résine photosensible consistant à fixer une résine négative photosensible sur une surface du masque photographique ; une étape d’exposition consistant à irradier une lumière en direction de la surface opposée du substrat transparent à partir du masque photographique pour durcir une partie de la résine négative photosensible avec la lumière projetée sur la résine négative photosensible à travers le motif à fente ; et une étape de développement consistant à éliminer une partie non durcie de la résine négative photosensible tout en laissant la partie durcie de la résine négative photosensible sous la forme d’une microstructure. Grâce à ce procédé, il est possible de produire facilement une microstructure à rapport hauteur/largeur élevé de manière économique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)