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1. (WO2010001880) ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR CVD ASSISTÉ PAR PLASMA, COUCHE DE DLC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001880    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061919
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.04.2010    
CIB :
C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : YOUTEC CO., LTD. [JP/JP]; 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Yuuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWABE, Takeharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYAKAWA, Haruhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ABE, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Yuuji; (JP).
KAWABE, Takeharu; (JP).
HAYAKAWA, Haruhito; (JP).
ABE, Koji; (JP)
Mandataire : YANASE, Mutsuyasu; PATENT ATTORNEYS SHINPO, 8th Floor, UK Building, 1-32-14, Takadanobaba, Shinjuku-ku, Tokyo 1690075 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-172490 01.07.2008 JP
Titre (EN) PLASMA CVD DEVICE, DLC FILM, AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM
(FR) ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR CVD ASSISTÉ PAR PLASMA, COUCHE DE DLC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE.
(JA) プラズマCVD装置、DLC膜及び薄膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a plasma CVD device wherein the voltage VDC, i.e., the DC component generated at the electrode during high-frequency discharge in CVD deposition, can be increased.  A plasma CVD device is characterized in that it comprises a chamber (1), a holding electrode (2) disposed in the chamber and adapted for holding a substrate on which a film is to be deposited, a high frequency power supply (8) connected electrically with the holding electrode, a counter electrode (12) arranged opposite to the substrate held by the holding electrode and connected with an earth electrode or a float electrode, a raw material gas supply mechanism for supplying a raw material gas into the space (13) between the counter electrode and the holding electrode, and an exhaust mechanism for exhausting the chamber, and that the following expression is satisfied. b/a≥2 where a is the surface area of the holding electrode, and b is the surface area of the counter electrode.
(FR)Équipement de dépôt chimique en phase vapeur CVD assité par plasma, permettant d'augmenter la tensionVDC de la composante continue générée par une électrode sous une décharge à haute fréquence au moment de la formation d'un film CVD. L'équipement de dépôt chimique en phase vapeur CVD de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une chambre (1), une électrode porte-substrat (2) supportant le substrat à revêtir et située dans la chambre, une source d'alimentation électrique à haute fréquence (8) reliée électriquement à la dite électrode porte-substrat, une contre-électrode (12) reliée à une prise de terre ou à une source d'énergie flottante et disposée face au substrat à revêtir qui est supporté par l'électrode porte-substrat, un mécanisme d'alimentation en matière première gazeuse servant à introduire la matière première gazeuse dans l'espace (13) situé entre la contre-électrode et l'électrode porte-substrat, et un mécanisme d'évacuation de l'air pour faire le vide dans la chambre, et en ce que les conditions de la formule suivante, dans laquelle a correspond à la surface de l'électrode porte-substrat et b à la surface de la contre-électrode, sont satisfaites.  b/a≧2.
(JA) CVD成膜時の高周波放電中に電極に発生するDC成分である電圧VDCを大きくできるプラズマCVD装置を提供する。本発明に係るプラズマCVD装置は、チャンバー1と、前記チャンバー内に配置され、被成膜基板が保持される保持電極2と、前記保持電極に電気的に接続された高周波電源8と、前記保持電極に保持された前記被成膜基板に対向して配置され、アース電源又はフロート電源に接続される対向電極12と、前記対向電極と前記保持電極との間の空間13に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、を具備し、前記保持電極の表面積をaとし、前記対向電極の表面積をbとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。 b/a≧2
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)