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1. (WO2010001848) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001848    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061831
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 29.06.2009
CIB :
H01L 31/075 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
ASAUMI, Toshio; (US Seulement).
SAKATA, Hitoshi; (US Seulement)
Inventeurs : ASAUMI, Toshio; .
SAKATA, Hitoshi;
Mandataire : TERAYAMA, Keishin; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-171323 30.06.2008 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a solar cell (10) comprising a semiconductor substrate (11) and an i-type amorphous semiconductor layer (12) formed on the back surface of the semiconductor substrate (11), wherein the i-type amorphous semiconductor layer (12) includes an exposed part (12A) which is exposed when viewed in plan, and a covered part (12B) which is covered with a p-type amorphous semiconductor layer (13) and an n-type amorphous semiconductor layer (14).  The thickness T1 of the exposed part (12A) is smaller than the thickness T2 of the covered part (12B).
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire (10) qui comporte un substrat semi-conducteur (11) et une couche semi-conductrice amorphe de type i (12) formée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur (11), la couche semi-conductrice amorphe de type i (12) comprenant une partie exposée (12A) qui est exposée lorsqu'elle est vue en plan, et une partie recouverte (12B) qui est recouverte par une couche semi-conductrice amorphe de type p (13) et une couche semi-conductrice amorphe de type n (14). L'épaisseur T1 de la partie exposée (12A) est inférieure à l'épaisseur T2 de la partie recouverte (12B).
(JA) 半導体基板11と、半導体基板11の裏面上に形成されるi型非晶質半導体層12とを有する太陽電池10において、i型非晶質半導体層12は、平面視において露出する露出部12Aと、p型非晶質半導体層13及びn型非晶質半導体層14によって覆われる被覆部12Bとを含む。露出部12Aの厚さTは、露出部12Bの厚さTより小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)