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1. (WO2010001804) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL D'ALXGA(1-X)N, MONOCRISTAL D'ALXGA(1‑X)N ET OPTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001804    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061612
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 25.06.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), G02B 1/02 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
ARAKAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURADA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANIZAKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAKAWA, Satoshi; (JP).
SAKURADA, Takashi; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
SATOH, Issei; (JP).
TANIZAKI, Keisuke; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
MIYANAGA, Michimasa; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-172563 01.07.2008 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF AlXGa(1-X)N SINGLE CRYSTAL, AlXGa(1-X)N SINGLE CRYSTAL, AND OPTICS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL D'ALXGA(1-X)N, MONOCRISTAL D'ALXGA(1‑X)N ET OPTIQUES
(JA) AlxGa(1-x)N単結晶の製造方法、AlxGa(1-x)N単結晶および光学部品
Abrégé : front page image
(EN)A process for the production of an AlXGa(1-X)N single crystal (10) (wherein 0XGa(1-X)N single crystal by a sublimation method, which comprises the step of preparing a substrate having the same compositional ratio (x) as that of the AlXGa(1-X)N single crystal, the step of preparing a high-purity raw material, and the step of sublimating the raw material to grow an AlXGa(1-X)N single crystal on the substrate.  The AlXGa(1-X)N single crystal (10) exhibits an absorption coefficient of 100cm-1 or below for a light having a wavelength of 250nm to shorter than 300nm and an absorption coefficient of 21cm-1 or below for a light having a wavelength of 300nm to shorter than 350nm, each absorption coefficient being determined at 300K.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N (avec 0 < x ≤ 1) en faisant croître un monocristal d'AlxGa(1‑x)N par un procédé de sublimation qui comprend l'étape qui consiste à préparer un substrat qui présente le même rapport de composition (x) que celui du monocristal d'AlxGa(1‑x)N, l'étape qui consiste à préparer une matière première de haute pureté et l'étape qui consiste à sublimer la matière première pour faire croître un monocristal d'AlxGa(1‑x)N sur le substrat. Le monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N a un coefficient d'absorption de 100 cm-1 ou moins pour une lumière d'une longueur d'onde de 250 nm à moins de 300 nm et un coefficient d'absorption de 21 cm-1 ou moins pour une lumière d'une longueur d'onde de 300 nm à moins de 350 nm, chaque coefficient d'absorption étant déterminé à 300 K.
(JA) AlxGa(1-x)N(0<x≦1)単結晶(10)の製造方法は、昇華法によりAlxGa(1-x)N単結晶を成長させる方法であって、以下の工程を備えている。AlxGa(1-x)N単結晶と同一の組成比xを有する下地基板が準備される。高純度の原料が準備される。原料を昇華させて下地基板上にAlxGa(1-x)N単結晶が成長される。またAlxGa(1-x)N単結晶(10)は、300Kで測定された、250nm以上300nm未満の波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下であり、300nm以上350nm未満の波長の光に対する吸収係数が21cm-1以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)