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1. (WO2010001803) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL D'ALXGA(1-X)N, MONOCRISTAL D'ALXGA(1‑X)N ET LENTILLES OPTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001803    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061609
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 25.06.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), G02B 1/02 (2006.01), G02B 3/00 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
ARAKAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURADA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANIZAKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAKAWA, Satoshi; (JP).
SAKURADA, Takashi; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
SATOH, Issei; (JP).
TANIZAKI, Keisuke; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
MIYANAGA, Michimasa; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-172562 01.07.2008 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF AlXGa(1-X)N SINGLE CRYSTAL, AlXGa(1-X)N SINGLE CRYSTAL AND OPTICAL LENSES
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL D'ALXGA(1-X)N, MONOCRISTAL D'ALXGA(1‑X)N ET LENTILLES OPTIQUES
(JA) AlxGa(1-x)N単結晶の製造方法、AlxGa(1-x)N単結晶および光学レンズ
Abrégé : front page image
(EN)A process for the production of an AlxGa(1-x)N single crystal (10) (wherein 0xGa(1-x)N single crystal (10) by a sublimation method, which comprises the step of preparing a substrate, the step of preparing a high-purity raw material, and the step of sublimating the raw material to grow an AlxGa(1-x)N single crystal (10) on the substrate.  The AlxGa(1-x)N single crystal (10) exhibits a refractive index of 2.4 or above for  a light having a wavelength of 250 to 300nm and a refractive index of 2.3 or above for a light having a wavelength which exceeds 300nm and is shorter than 350nm, each refractive index being determined at 300K.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N (avec 0 < x ≤ 1) en faisant croître un monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N par un procédé de sublimation qui comprend l'étape qui consiste à préparer un substrat, l'étape qui consiste à préparer une matière première de haute pureté et une étape qui consiste à sublimer la matière première pour faire croître un monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N sur le substrat. Le monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N a un indice de réfraction de 2,4 ou plus pour une lumière d'une longueur d'onde de 250 à 300 nm et un indice de réfraction de 2,3 ou plus pour une lumière de longueur d'onde supérieure à 300 nm et inférieure à 350 nm, chaque indice de réfraction étant déterminé à 300 K.
(JA) 本発明のAlxGa(1-x)N(0<x≦1)単結晶(10)の製造方法は、昇華法によりAlxGa(1-x)N単結晶(10)を成長させる方法であって、以下の工程を備えている。下地基板が準備される。高純度の原料が準備される。原料を昇華させて下地基板上にAlxGa(1-x)N単結晶10が成長される。またAlxGa(1-x)N単結晶10において、300Kで測定された、250nm以上300nm以下の波長の光に対する屈折率が2.4以上で、かつ300nmを超えて350nm未満の波長の光に対する屈折率が2.3以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)