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1. (WO2010001757) COMPOSITION DE COUCHE ISOLANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001757    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061326
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 22.06.2009
CIB :
C08L 101/02 (2006.01), C08G 18/61 (2006.01), C08G 18/83 (2006.01), C08K 5/00 (2006.01), C08L 83/04 (2006.01), H01B 3/30 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
YAHAGI Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAHAGI Isao; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-171155 30.06.2008 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR INSULATING LAYER
(FR) COMPOSITION DE COUCHE ISOLANTE
(JA) 絶縁層用組成物
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a composition for an insulating layer, which can form an insulating layer (for instance, a gate insulating film and a protection layer for a transistor) at a low temperature, and furthermore, can form an insulating layer having excellent withstand voltage.  The composition for an insulating layer includes a first compound composed of a polymeric compound having two or more active hydrogen groups in a molecule, and a second compound composed of a low-molecular compound having two or more groups which generate, in a molecule, a functional group which reacts to the active hydrogen groups by an electromagnetic line or heat.
(FR)L’invention concerne une composition de couche isolante, qui peut former une couche isolante (par exemple, un film isolant une porte et une couche de protection pour un transistor) à température basse et qui peut former par ailleurs une couche isolante qui présente une excellente tension de tenue. La composition de couche isolante comprend un premier composé constitué d’un composé polymère contenant deux groupes hydrogène actif ou plus par molécule, et un second composé constitué d’un composé de poids moléculaire faible contenant deux groupes ou plus qui génèrent, par molécule, un groupe fonctionnel qui réagit avec les groupes hydrogène actif par une ligne électromagnétique ou de la chaleur.
(JA) 本発明は、低温で絶縁層(例えば、トランジスタのゲート絶縁膜や保護層)を形成することが可能であり、しかも優れた絶縁耐圧を有する絶縁層を形成可能な絶縁層用組成物を提供することを目的とする。本発明の絶縁層用組成物は、分子内に活性水素基を2個以上有する高分子化合物からなる第1の化合物と、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を2個以上有する低分子化合物からなる第2の化合物とを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)