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1. (WO2010001597) SUBSTRAT SUR LEQUEL UN ÉLÉMENT DOIT ÊTRE MONTÉ, MODULE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT SUR LEQUEL UN ÉLÉMENT DOIT ÊTRE MONTÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF PORTABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001597    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003036
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01L 25/10 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 25/11 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAMATSU, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
USUI, Ryosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIBATA, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAMATSU, Masayuki; (JP).
USUI, Ryosuke; (JP).
SHIBATA, Kiyoshi; (JP)
Mandataire : MORISHITA, Sakaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-171830 30.06.2008 JP
2008-251382 29.09.2008 JP
Titre (EN) SUBSTRATE ON WHICH ELEMENT IS TO BE MOUNTED, SEMICONDUCTOR MODULE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE ON WHICH ELEMENT IS TO BE MOUNTED, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PORTABLE DEVICE
(FR) SUBSTRAT SUR LEQUEL UN ÉLÉMENT DOIT ÊTRE MONTÉ, MODULE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT SUR LEQUEL UN ÉLÉMENT DOIT ÊTRE MONTÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF PORTABLE
(JA) 素子搭載用基板、半導体モジュール、半導体装置、素子搭載用基板の製造方法および半導体装置の製造方法、ならびに携帯機器
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (10) having a PoP structure wherein a first electrode part (160) formed on a first semiconductor module (100) and a second electrode part (242) formed on a second semiconductor module (200) are joined with each other by a solder ball (270).  The first electrode part has a first conductor part (162) having a thickness equal to the thickness of a wiring layer (140) formed on an insulating resin layer (130), a second conductor part (164) formed on the first conductor part (162), and a gold plating layer (166) formed on the second conductor part (164).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur (10) ayant une structure PoP dans laquelle une première partie d'électrode (160) formée sur un premier module semi-conducteur (100) et une seconde partie d'électrode (242) formée sur un second module semi-conducteur (200) sont assemblées l'une à l'autre par un globule de soudure (270). La première partie d'électrode a une première partie de conducteur (162) ayant une épaisseur égale à l'épaisseur d'une couche de câblage (140) formée sur une couche de résine isolante (130), une seconde partie de conducteur (164) formée sur la première partie de conducteur (162) et une couche de dorure (166) formée sur la seconde partie conductrice (164).
(JA) 半導体装置10は、第1の半導体モジュール100に設けられた第1の電極部160と第2の半導体モジュール200に設けられた第2の電極部242とがはんだボール270により接合されたPoP構造を有する。第1の電極部は、絶縁樹脂層130に設けられた配線層140と同等な厚さの第1の導体部162と、第1の導体部162の上に形成された第2の導体部164と、第2の導体部164の上に設けられた金めっき層166とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)