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1. (WO2010001352) RÉSISTANCE EN SERPENTIN AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001352    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/052876
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 02.07.2009
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
TESSON, Olivier [FR/NL]; (NL) (US Seulement).
BARBIER, Frédéric, François [FR/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : TESSON, Olivier; (NL).
BARBIER, Frédéric, François; (NL)
Mandataire : KROTT, Michel, Willy, François, Maria; (NL)
Données relatives à la priorité :
08290648.8 02.07.2008 EP
Titre (EN) IMPROVED MEANDER RESISTOR
(FR) RÉSISTANCE EN SERPENTIN AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates in general to the field of integrated circuits, and more specifically to a meander resistor. Basically, a meander resistor can be considered as a bar resistor with the exception of the corner squares (right-angle bends). The Electrostatic Discharge (ESD) sensitivities of on-chip resistors can be a problem for both electronic manufactures and electronic component users. As others components, passive devices are known to be susceptible to ESD events. The context of this invention is to improve the reliability of the resistors during an ESD event. An ESD stress means that high current and high voltage levels are applied to the device. The device has to be able to dissipate this energy without failure.
(FR)La présente invention porte d'une manière générale sur le domaine des circuits intégrés, et plus spécifiquement sur une résistance en serpentin. On peut fondamentalement considérer une résistance en serpentin comme étant une résistance en barreau à l'exception des carrés des coins (coudes à angle droit). Les sensibilités aux décharges électrostatiques (ESD) de résistances sur puce peuvent être un problème à la fois pour les fabricants d'électroniques et les utilisateurs de composants électroniques. Comme d'autres composants, on sait que des dispositifs passifs sont sensibles aux événements ESD. Le contexte de cette invention est d'améliorer la fiabilité des résistances durant un événement ESD. Une contrainte ESD signifie que des niveaux de courant et de tension élevés sont appliqués au dispositif. Le dispositif doit être capable de dissiper cette énergie sans défaillance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)