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1. (WO2010001339) BOBINE PLANAIRE MONOLITHIQUEMENT INTÉGRÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001339    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/052836
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01F 27/36 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
ROOZEBOOM, Freddy [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
REEFMAN, Derk [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
KLOOTWIJK, Johan Hendrik [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
TIEMEIJER, Lukas Frederik [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
RUIGROK, Jaap [NL/NL]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : ROOZEBOOM, Freddy; (GB).
REEFMAN, Derk; (GB).
KLOOTWIJK, Johan Hendrik; (GB).
TIEMEIJER, Lukas Frederik; (GB).
RUIGROK, Jaap; (GB)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Données relatives à la priorité :
08159531.6 02.07.2008 EP
Titre (EN) PLANAR, MONOLITHICALLY INTEGRATED COIL
(FR) BOBINE PLANAIRE MONOLITHIQUEMENT INTÉGRÉE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a means to integrate planar coils on silicon, while providing a high inductance. This high inductance is achieved through a special back- and front sided shielding of a material. Inmany applications, high-value inductors are a necessity. In particular, this holds for applications in power management. In these applications, the inductors are at least 5 of the order of 1 μH, and must have an equivalent series resistance of less than 0.1 Ω. For this reason, those inductors are always bulky components, of a typical size of 2 x 2 x 1 mm 3, which make a fully integrated solution impossible. On the other hand, integrated inductors, which can monolithically be integrated, do exist. However, these inductors suffer either from low inductance values, or 10 veryhigh DC resistance values.
(FR)La présente invention concerne un moyen d’intégrer des bobines planaires sur le silicium en garantissant une forte inductance. Cette forte inductance est obtenue au moyen d’un blindage avant et arrière spécial d’un matériau. Dans nombre d’applications, des inductances à forte valeur sont requis. Cela est en particulier valable pour les applications en conditionnement d’énergie. Dans ces applications les inductances sont au moins 5 de l’ordre de 1 µH, et doivent avoir une résistance en série de moins de 0,1 Ω. Pour cette raison, ces inductances sont toujours des composants volumineux, d’une taille typiquement de 2 × 2 × 1 mm3, ce qui rend impossible une solution complètement intégrée. D’autre part, les inductances intégrées, qui peuvent être intégrées monolithiquement, existent. Cependant, ces inductances souffrent soit de faibles valeurs d’inductance, soit de très fortes valeurs de résistance en courant continu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)