WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010001338) FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001338    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/052834
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
RUTTER, Phil [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
PEAKE, Steven [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : RUTTER, Phil; (GB).
PEAKE, Steven; (GB)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Données relatives à la priorité :
08104594.0 01.07.2008 EP
Titre (EN) MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Methods of manufacturing semiconductor devices, such as insulated-gate field effect power transistors or diode structures, are provided. The devices include a semiconductor body (2) having first region (12) of a first conductivity type, and a field plate (18,22,30) dielectrically coupled to the first region and extending into the semiconductor body adjacent to the first region. The methods include the steps of providing a semiconductor body (2) which has substantially uniform doping in the first region and implanting additional dopant of thefirst conductivity type into the first region such that the dopant concentration in the first region increases with depth.
(FR)L'invention porte sur des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteur, tels que des transistors de puissance à effet de champ à grille isolée ou des structures de diode. Les dispositifs comprennent un corps semi-conducteur (2) comprenant une première région (12) d'un premier type de conductivité, et une plaque de champ (18, 22, 30) couplée de façon diélectrique à la première région et s'étendant dans le corps semi-conducteur à proximité de la première région. Les procédés comprennent les étapes consistant à fournir un corps semi-conducteur (2) ayant un dopage sensiblement uniforme dans la première région et implanter un dopant supplémentaire du premier type de conductivité dans la première région de telle manière que la concentration en dopant dans la première région croît avec la profondeur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)