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1. (WO2010001201) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001201    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/053512
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2008
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
REYNES, Jean Michel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
STEFANOV, Evgueniy [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
WEBER, Yann [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : REYNES, Jean Michel; (FR).
STEFANOV, Evgueniy; (FR).
WEBER, Yann; (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF FORMING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a power semiconductor device comprises forming a first semiconductor layer (208) of a first conductivity type extending across the power semiconductor device; forming an epitaxial layer (210) of the first conductivity type over the first semiconductor layer (208), the epitaxial layer having a doping concentration that increases from a first surface (216) of the epitaxial layer towards the first semiconductor layer (208); forming a body region (218) of a second conductivity type in the epitaxial layer (210) extending from the first surface (216) of the epitaxial layer into the epitaxial layer, wherein a junction between the body region (218) and the epitaxial layer (210) is at or substantially adjacent to a region of the epitaxial layer (210) having a maximum doping concentration; and forming a gate region (224) such that the gate region is adjacent at least a portion of the body region. In operation of the semiconductor device, the portion of the body region adjacent the gate region (2 24) functions as a channel region of the semiconductor device.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'un dispositif à semi-conducteur de puissance qui comprend la formation d'une première couche semi-conductrice (208) d'un premier type de conductivité s'étendant sur l'ensemble du dispositif à semi-conducteur de puissance; la formation d'une couche épitaxiale (210) du premier type de conductivité au-dessus de la première couche semi-conductrice (208), la couche épitaxiale ayant une concentration de dopage qui croît d'une première surface (216) de la couche épitaxiale vers la première couche semi-conductrice (208); la formation d'une région de corps (218) d'un second type de conductivité dans la couche épitaxiale (210) s'étendant à partir de la première surface (216) de la couche épitaxiale dans la couche épitaxiale, une jonction entre la région de corps (218) et la couche épitaxiale (210) se trouvant au niveau ou sensiblement adjacente à une région de la couche épitaxiale (210) ayant une concentration de dopage maximale; et la formation d'une région de grille (224) de telle manière que la région de grille est adjacente à au moins une partie de la région de corps. Dans le fonctionnement du dispositif à semi-conducteur, la partie de la région de corps adjacente à la région de grille (224) sert de région de canal du dispositif à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)