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1. (WO2010001108) PROCÉDÉ DE FABRICATION AMÉLIORÉE POUR TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/001108    N° de la demande internationale :    PCT/GB2009/001635
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED [GB/GB]; Electrical and Electronic Engineering Building Level 12 Imperial College Exhibition Road London SW7 2BT (GB) (Tous Sauf US).
ANTHOPOULOS, Thomas [GR/GB]; (GB) (US Seulement).
BRADLEY, Donal, Donat, Conor [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SMITH, Jeremy, Nicholas [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : ANTHOPOULOS, Thomas; (GB).
BRADLEY, Donal, Donat, Conor; (GB).
SMITH, Jeremy, Nicholas; (GB)
Mandataire : PITCHFORD, James, Edward; Kilburn & Strode 20 Red Lion Street London WC1R 4PJ (GB)
Données relatives à la priorité :
0811962.0 30.06.2008 GB
Titre (EN) IMPROVED FABRICATION METHOD FOR THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTORS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION AMÉLIORÉE POUR TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a thin-film field-effect transistor comprising: forming a dielectric layer adjacent a gate; forming a source region and a drain region; and forming a semiconductor layer on the dielectric layer; wherein the semiconductor layer is deposited by spray pyrolysis and comprises a material selected from a group comprising: oxides; oxide-based materials; mixed oxides; metallic type oxides; group I-IV, II- VI, III- VI, IV-VI, V-VI and VIII- VI binary chalcogenides; and group I-II-VI, II-II-VI, H-III-VI, II- VI- VI and V- II- VI ternary chalcogenides.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à film mince qui consiste à : former une couche diélectrique adjacente à une grille ; former une région de source et une région de drain ; et former une couche semi-conductrice sur la couche diélectrique ; la couche semi-conductrice étant déposée par pyrolyse d'aérosol et comprenant un matériau sélectionné dans un groupe comprenant : des oxydes ; des matériaux à base d'oxyde ; des oxydes mixtes ; des oxydes de type métallique ; des chalcogénures binaires des groupes I-IV, II-VI, III-VI, IV-VI, V-VI et VIII-VI ; et des chalcogénures ternaires des groupes I-II-VI, II-II-VI, II-III-VI, II-VI-VI et V-II-VI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)