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1. (WO2010000749) STRUCTURE DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/000749    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/058206
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : XMOS LTD [GB/GB]; Venturers House King Street Bristol BS1 4PB (GB) (Tous Sauf US).
WILLIAMSON, Ken [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
MAY, Michael David [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CLEMOW, Simon Christopher Dequin [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : WILLIAMSON, Ken; (GB).
MAY, Michael David; (GB).
CLEMOW, Simon Christopher Dequin; (GB)
Mandataire : VIRGINIA ROZANNE DRIVER; Page White & Farrer Bedford House John Street London Greater London WC1N 2BF (GB)
Données relatives à la priorité :
12/165,776 01.07.2008 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit and corresponding method of manufacture. The integrated circuit has' a' die (2) comprising: an'outer strengthening ring (32) around a periphery of the die, the outer ring having one or more gaps; and an inner strengthening ring (30) within the outer ring and around interior circuitry of the die, the inner ring having one or more gaps offset from the gaps of the outer ring. One or more conducting members (40) are electrically isolated from said rings and electrically connected to the interior circuitry, each member passing through a gap of the inner ring and through a gap of the outer ring.
(FR)La présente invention a trait à un circuit intégré et à son procédé de fabrication. Le circuit intégré est équipé d’une puce (2) comprenant : un anneau de raidissement extérieur (32) autour de la périphérie de la puce, lequel anneau extérieur est pourvu d’un ou de plusieurs interstices ; et un anneau de raidissement intérieur (30) à l’intérieur de l’anneau extérieur et autour de l’ensemble de circuits intérieur de la puce, lequel anneau intérieur est pourvu d’un ou de plusieurs interstices décalés par rapport aux interstices de l’anneau extérieur. Un ou plusieurs éléments conducteurs (40) sont électriquement isolés desdits anneaux et électriquement connectés à l’ensemble de circuits intérieur, chaque élément passant à travers un interstice de l’anneau intérieur et à travers un interstice de l’anneau extérieur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)