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1. (WO2010000689) DISPOSITIF CAPTEUR PERMETTANT DE MESURER UN CHAMP ÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/000689    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/058099
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 29.06.2009
CIB :
G01R 29/08 (2006.01), G01R 3/00 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
HEINRICHSDORFF, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
REZNIK, Daniel [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STECKENBORN, Arno [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HEINRICHSDORFF, Frank; (DE).
REZNIK, Daniel; (DE).
STECKENBORN, Arno; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 031 820.5 04.07.2008 DE
Titre (DE) SENSOREINRICHTUNG ZUM MESSEN EINES ELEKTRISCHEN FELDES UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SENSOR DEVICE FOR MEASURING AN ELECTRIC FIELD AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR PERMETTANT DE MESURER UN CHAMP ÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer zum Messen eines elektrischen Feldes (E) geeigneten Sensoreinrichtung (5). Bei dem Verfahren wird zwischen einer Primärelektrode (20) und einer Sekundärelektrode (25) ein Nanoröhrchen (35) schwingfähig angeordnet. Vorzugsweise wird das Nanoröhrchen auf der Primärelektrode in Richtung Sekundärelektrode aufgewachsen. Die später zum Messen elektrischer Felder vorgesehene Sekundärelektrode wird dabei bereits zum Herstellen des Nanoröhrchens mitbenutzt. Die Primärelektrode weist vorzugsweise einen verjüngten Bereich (200) auf, um mit einem elektrischen Heizstrom (Ith) eine lokale Erwärmung für das Röhrchenwachstum zu ermöglichen. Ein spitz zulaufender Bereich (210) der Sekundärelektrode kann das Röhrchenwachstum in Richtung Sekundärelektrode unterstützen. Die Primärelektrode und die Sekundärelektrode sind vorzugsweise durch dieselbe auf demselben Träger (10) befindliche Materialschicht (140) gebildet.
(EN)An embodiment of the invention refers to a method for manufacturing a sensor device (5) suitable for measuring an electric field (E). In the method, a nanotube (35) capable of oscillating is disposed between a primary electrode (20) and a secondary electrode (25). Preferably, the nanotube is grown on the primary electrode in the direction of the secondary electrode. In the process, the secondary electrode, which is provided to later measure the electric field, is already being used to produce the nanotube. The primary electrode preferably comprises a narrowed area (200) for facilitating local heating for tube growth using an electrical heating current (Ith). An area (210) of the secondary electrode that comes to a point can support the tube growth in the direction of the secondary electrode. The primary electrode and the secondary electrode are preferably formed from the same material layer (140) which is located on the same support (10).
(FR)L'invention concerne, dans un exemple de réalisation, un procédé de fabrication d'un dispositif capteur (5) convenant pour mesurer un champ électrique (E). Selon ce procédé, un nanotube (35) est disposé de manière à pouvoir osciller entre une électrode primaire (20) et une électrode secondaire (25). On fait de préférence croître le nanotube sur l'électrode primaire en direction de l'électrode secondaire. L'électrode secondaire prévue pour mesurer plus tard des champs électriques est utilisée également pour produire le nanotube. L'électrode primaire présente de préférence une zone rétrécie (200) pour permettre un réchauffement local pour la croissance du tube, à l'aide d'un courant de chauffe électrique (Ith). Une zone (210) se terminant en pointe de l'électrode secondaire peut soutenir la croissance du tube en direction de l'électrode secondaire. L'électrode primaire et l'électrode secondaire sont de préférence formées par la même couche de matériau (140) se trouvant sur le même support (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)