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1. (WO2010000413) DÉTECTEUR DE GAZ À TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À GRILLE SUSPENDUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/000413    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/004577
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 25.06.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.02.2010    
CIB :
G01N 27/00 (2006.01), G01N 27/414 (2006.01)
Déposants : MICRONAS GMBH [DE/DE]; Hans-Bunte-Strasse 19 79108 Freiburg i.Br. (DE) (Tous Sauf US).
SENFT, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SENFT, Christoph; (DE)
Mandataire : KOCH MÜLLER PATENANWALTTSGESELLSCHAFT MBH; Maaβstrassee 32/1 69123 Heidelberg (DE)
Données relatives à la priorité :
08011919.1 02.07.2008 EP
Titre (DE) SGFET-GASSENSOR
(EN) SGFET GAS SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE GAZ À TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À GRILLE SUSPENDUE
Abrégé : front page image
(DE)Ein Gassensor (1) weist mindestens eine gassensitive, elektrisch leitfahige Schicht (7) auf, die einen mit dem Zielgas in Kontakt bringbaren Oberflächenbereich (9) hat, in dem die Austrittsarbeit von der Konzentration des damit in Kontakt stehenden Zielgases abhängig ist. Zumindest ein elektrischer Potentialsensor ist über einen Luftspalt (8) kapazitiv an den Oberflächenbereich (9) gekoppelt. Der Oberflächenbereich (9) ist durch mindestens eine Aussparung strukturiert, in der ein elektrisch leitend mit der gassensitiven Schicht (7) verbundenes flächiges Werkstoffelement (18) angeordnet ist, dessen Werkstoff sich von dem der gassensitiven Schicht (7) unterscheidet und ein Metall und/oder eine ein Metall enthalte chemische Verbindung umfdsst.
(EN)A gas sensor (1) has at least one gas-sensitive electrically conductive layer (7) having a surface region (9) which can be brought into contact with the target gas and in which the work function depends on the concentration of the target gas in contact therewith. At least one electrical potential sensor is capacitively coupled to the surface region (9) via an air gap (8). The surface region (9) is structured by means of at least one recess in which a flat material element (18) which is connected to the gas-sensitive layer (7) in an electrically conductive manner is arranged, the material of said material element differing from that of the gas-sensitive layer (7) and comprising a metal and/or a metal-containing chemical compound.
(FR)L'invention concerne un détecteur de gaz (1) possédant au moins une couche électriquement conductrice sensible au gaz (7) qui possède une zone superficielle (9) pouvant être mise en contact avec le gaz recherché, le travail d'extraction dépendant de la concentration du gaz recherché en contact avec celle-ci. Au moins un détecteur de potentiel électrique est couplé capacitivement avec la zone superficielle (9) par l'intermédiaire d'un entrefer (8). La zone superficielle (9) est structurée avec au moins un évidement qui est disposé dans un élément de matériau plan (18) qui est relié de manière électriquement conductrice avec la couche sensible au gaz (7), dont le matériau diffère de celui de la couche sensible au gaz (7) et contient un métal et/ou un composé chimique contenant un métal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)