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1. (WO2010000205) APPAREIL À MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE SÉCURISER UNE MÉMOIRE FLASH CONTRE LA DÉTÉRIORATION DE DONNÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/000205    N° de la demande internationale :    PCT/CN2009/072596
Date de publication : 07.01.2010 Date de dépôt international : 02.07.2009
CIB :
G06F 12/00 (2006.01)
Déposants : SILICON MOTION, INC. [CN/CN]; Room 9, B, Block, Keji Chuangyeyuan, Tianan Digital City, Futian Shenzhen, Guangdong (CN) (Tous Sauf US).
SILICON MOTION, INC. [CN/CN]; Floor 18, Building A, No. 11, Guotai Road, Yangpu District Shanghai (CN) (Tous Sauf US).
SILICON MOTION, INC. [CN/CN]; 8F-1, No.36, Taiyuan St., Jhubei City, Hsinchu County Taiwan 302 (CN) (Tous Sauf US).
HSIAO, Wei-Yi [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : HSIAO, Wei-Yi; (CN)
Mandataire : SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road, Xuhui Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
61/077,549 02.07.2008 US
200810176140.9 06.11.2008 CN
Titre (EN) FLASH MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR SECURING A FLASH MEMORY FROM DATA DAMAGE
(FR) APPAREIL À MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE SÉCURISER UNE MÉMOIRE FLASH CONTRE LA DÉTÉRIORATION DE DONNÉES
Abrégé : front page image
(EN)A method for securing a flash memory from data damage is provided. After writing of data to a plurality of written pages of a first block of a flash memory is completed, a last weak page of the written pages is determined. A first strong page corresponding to the last weak page is then determined. A plurality of strong pages between the first strong page and the last weak page are then determined. Data of the plurality of strong pages is the coped to a backup area of the flash memory for data recovery.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de sécuriser une mémoire flash contre la détérioration de données. Après qu'une écriture de données sur une pluralité de pages écrites d'un premier bloc d'une mémoire flash a été réalisée, une dernière page faible parmi les pages écrites est déterminée. Une première page forte correspondant à la dernière page faible est ensuite déterminée. Une pluralité de pages fortes entre la première page forte et la dernière page faible est ensuite déterminée. Des données de la pluralité de pages fortes sont ensuite copiées dans une zone de sauvegarde de la mémoire flash à des fins de récupération de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)