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1. (WO2009143357) TRAITEMENT ORTHOGONAL DE MATÉRIAUX ORGANIQUES UTILISÉS DANS DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET ÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/143357    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/044863
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 21.05.2009
CIB :
G03F 7/32 (2006.01)
Déposants : CORNELL UNIVERSITY [US/US]; 395 Pine Tree Road Suite 310 Ithaca, NY 14850 (US) (Tous Sauf US).
OBER, Christopher, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
MALLIARAS, George [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Jin-Kyun [KR/US]; (US) (US Seulement).
ZAKHIDOV, Alexander [RU/US]; (US) (US Seulement).
CHATZICHRISTIDI, Margarita [GR/GR]; (GR) (US Seulement).
TAYLOR, Priscilla [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OBER, Christopher, K.; (US).
MALLIARAS, George; (US).
LEE, Jin-Kyun; (US).
ZAKHIDOV, Alexander; (US).
CHATZICHRISTIDI, Margarita; (GR).
TAYLOR, Priscilla; (US)
Mandataire : HULL, Michael, R.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/055,798 23.05.2008 US
61/140,420 23.12.2008 US
Titre (EN) ORTHOGONAL PROCESSING OF ORGANIC MATERIALS USED IN ELECTRONIC AND ELECTRICAL DEVICES
(FR) TRAITEMENT ORTHOGONAL DE MATÉRIAUX ORGANIQUES UTILISÉS DANS DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET ÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An orthogonal process for photolithographic patterning organic structures is disclosed. The disclosed process utilizes fluorinated solvents or supercritical CO2 as the solvent so that the performance of the organic conductors and semiconductors would not be adversely affected by other aggressive solvent. One disclosed method may also utilize a fluorinated photoresist together with the HFE solvent, but other fluorinated solvents can be used. In one embodiment, the fluorinated photoresist is a resorcinarene, but various fluorinated polymer photoresists and fluorinated molecular glass photoresists can be used as well. For example, a copolymer perfluorodecyl methacrylate (FDMA) and 2-nitrobenzyl methacrylate (NBMA) is a suitable orthogonal fluorinated photoresist for use with fluorinated solvents and supercritical carbon dioxide in a photolithography process. The combination of the fluorinated photoresist and the fluorinated solvent provides a robust, orthogonal process that is yet to be achieved by methods or devices known in the art.
(FR)L’invention concerne un procédé orthogonal de modelage photolithographique de structures organiques. Le procédé divulgué utilise des solvants fluorés ou du CO2 supercritique comme solvant de sorte que d’autres solvants agressifs n’aient pas d’incidence sur l’efficacité des conducteurs et semi-conducteurs organiques. Un procédé divulgué peut également utiliser une résine photosensible fluorée conjointement avec le solvant HFE, mais d’autres solvants fluorés peuvent être utilisés. Dans un mode de réalisation, la résine photosensible fluorée est un résorcinarène, mais diverses résines photosensibles polymères fluorées et résines photosensibles de verre moléculaire fluorées peuvent également être utilisées. Par exemple, un copolymère méthacrylate de perfluorodécyle (FDMA) et méthacrylate de 2-nitrobenzyle (NBMA) est une résine photosensible fluorée orthogonale appropriée pour une utilisation avec des solvants fluorés et du dioxyde de carbone supercritique dans un procédé de photolithographie. La combinaison de la résine photosensible fluorée et du solvant fluoré donne un procédé orthogonal robuste qui n’est pas encore obtenu par des procédés ou dispositifs connus dans l’état de la technique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)