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1. (WO2009143354) UTILISATION D'UN FILM ISOLÉ DANS UN DISPOSITIF MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/143354    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/044858
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 21.05.2009
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome Minato-Ku , Tokyo 106-8620 (JP) (Tous Sauf US).
BIRKMEYER, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
IMAI, Darren T. [US/US]; (US) (US Seulement).
BIBL, Andreas [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Zhenfang [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BIRKMEYER, Jeffrey; (US).
IMAI, Darren T.; (US).
BIBL, Andreas; (US).
CHEN, Zhenfang; (US)
Mandataire : GOREN, David J.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/055,768 23.05.2008 US
Titre (EN) INSULATED FILM USE IN A MEMS DEVICE
(FR) UTILISATION D'UN FILM ISOLÉ DANS UN DISPOSITIF MEMS
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an actuator and an actuable device formed by this method are disclosed. This method includes depositing a photoimageable material to form a first photoimageable layer on a piezoelectric layer; patterning the first photoimageable layer to form an aperture; and disposing a first conductive layer on the first photoimageable layer. The first conductive layer partially overlies the first photoimageable layer such that a first portion of the first conductive layer contacts the first photoimageable layer and a second portion of the first conductive layer electrically contacts the piezoelectric layer in the aperture.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un actionneur et un dispositif actionnable formé par ce procédé. Ce procédé inclut le dépôt d'un matériau photosensible pour former une première couche photosensible sur une couche piézoélectrique ; le modelage de la première couche photosensible pour former une ouverture, et le dépôt d'une première couche conductrice sur la première couche photosensible. La première couche conductrice recouvre partiellement la première couche photosensible de telle sorte qu'une première partie de la première couche conductrice contacte la première couche photosensible et une seconde partie de la première couche conductrice contacte électriquement la couche piézoélectrique dans l'ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)