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1. (WO2009143271) RÉACTEUR DE FOND DE POCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/143271    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/044712
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 20.05.2009
CIB :
C01B 33/027 (2006.01), C01B 33/021 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01), H05H 1/02 (2006.01)
Déposants : REC SILICON INC. [US/US]; 3322 Road N N.E. Lake Moses, WA 98837 (US) (Tous Sauf US).
HUGO, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HUGO, Franz; (DE)
Mandataire : RUPERT, Wayne; (US)
Données relatives à la priorité :
12/378,250 11.02.2009 US
61/128,847 23.05.2008 US
Titre (EN) SKULL REACTOR
(FR) RÉACTEUR DE FOND DE POCHE
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing silicon or a reactive metal is disclosed herein that includes: introducing a silicon-bearing feed or reactive metal-bearing feed into a reactor chamber, wherein the reactor chamber includes a reactor chamber wall having (i) an inside surface facing a reaction space and (ii) an opposing outside surface; generating a first thermal energy within the reaction space sufficient to generate a liquid silicon product or a liquid reactive metal product; generating a second thermal energy exterior to the reactor chamber wall such that a heat flow from the second thermal energy initially impacts the outside surface of the reactor chamber wall; and establishing an inside surface wall temperature within a temperature range that is above or below a melting point temperature of the silicon or the reactive metal by controlling the first thermal energy source and the second thermal energy source.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour produire du silicium ou un métal réactif, lequel procédé comprend : l'introduction d'une charge d'alimentation en silicium ou d'une charge d'alimentation en métal réactif à l'intérieur d'une chambre de réacteur, la chambre de réacteur comprenant une paroi de chambre de réacteur ayant (i) une surface intérieure tournée vers un espace de réaction et (ii) une surface extérieure opposée ; la génération d'une première énergie thermique à l'intérieur de l'espace de réaction, suffisante pour générer un produit de silicium liquide ou un produit de métal réactif liquide ; la génération d'une seconde énergie thermique extérieure à la paroi de chambre de réacteur de telle sorte qu'un flux de chaleur provenant de la seconde énergie thermique impacte initialement la surface de sortie de la paroi de chambre de réacteur ; et l'établissement d'une température de paroi de surface intérieure dans une plage de température qui est au-dessus ou au-dessous d'une température de point de fusion du silicium ou du métal réactif, par la commande de la première source d'énergie thermique et de la seconde source d'énergie thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)