WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009142881) CELLULES DE MÉMOIRE, CONSTRUCTIONS DE CELLULES DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS DE PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/142881    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/042168
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 29.04.2009
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; A Corporation Of The State Of Delaware 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
MOULI, Chandra [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOULI, Chandra; (US)
Mandataire : MATKIN, Mark, S.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/125,756 22.05.2008 US
Titre (EN) MEMORY CELLS, MEMORY CELL CONSTRUCTIONS AND MEMORY CELL PROGRAMMING METHODS
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE, CONSTRUCTIONS DE CELLULES DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS DE PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include memory cells including a memory component having a first conductive material, a second conductive material, and an oxide material between the first conductive material and the second conductive material. A resistance of the memory component is configurable via a current conducted from the first conductive material through the oxide material to the second conductive material. Other embodiments include a diode comprising metal and a dielectric material and a memory component connected in series with the diode. The memory component includes a magnetoresistive material and has a resistance that is changeable via a current conducted through the diode and the magnetoresistive material.
(FR)Certains modes de réalisation de la présente invention comprennent des cellules de mémoire comprenant un composant de mémoire ayant un premier matériau conducteur, un second matériau conducteur, et un matériau d'oxyde entre le premier matériau conducteur et le second matériau conducteur. Une résistance du composant de mémoire peut être configurée par le biais d'un courant conduit à partir du premier matériau conducteur à travers le matériau d'oxyde vers le second matériau conducteur. D'autres modes de réalisation comprennent une diode comprenant du métal et un matériau diélectrique et un composant de mémoire connecté en série avec la diode. Le composant de mémoire comprend un matériau magnétorésistif et possède une résistance qui peut être changée par le biais d'un courant conduit à travers la diode et le matériau magnétorésistif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)