WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009142824) CIRCUIT DESTINÉ À UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/142824    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/038500
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 27.03.2009
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
CHEN, Weize [CN/US]; (US) (US Seulement).
PARRIS, Patrice, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Weize; (US).
PARRIS, Patrice, M.; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; (US).
WUAMETT, Jennifer; (US).
CLINGAN, James, L.; (US).
DOLEZAL, David, G.; (US).
CHIU, Joanna, G.; (US).
HILL, Daniel; (US).
HILL, Susan, C.; (US).
SINGH, Ranjeev; (US).
VO, Kim Marie; (US).
GODDARD, Patricia; (US).
RODRIGUEZ, Robert; (US)
Données relatives à la priorité :
12/126,069 23.05.2008 US
Titre (EN) CIRCUIT FOR AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY CELL AND A PROCESS OF FORMING THE ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIRCUIT DESTINÉ À UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A circuit for a nonvolatile memory cell (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100) can include a charge-altering terminal (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702, 802, 902, 1002) and an output terminal (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808, 908, 1008). The circuit can also include a first transistor (11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 1021) having a gate electrode that electrically floats and an active region including a current-carrying electrode, wherein the current-carrying electrode is coupled to the output terminal. The circuit can further include a second transistor (12, 22, 32, 42, 52, 62, 72, 82, 92, 1002) having a first electrode and a second electrode, wherein the first electrode is coupled to the gate electrode of the first transistor, and the second electrode is coupled to the charge-altering terminal. When changing the state of the memory cell, the second transistor can be active and no significant amount of charge carriers are transferred between the gate electrode of the first transistor and the active region of the first transistor. Other embodiments can include the electronic device itself and a process of forming the electronic device.
(FR)Un circuit destiné à une cellule de mémoire non volatile (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100) peut comprendre une borne de changement de charge (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702, 802, 902, 1002) et une borne de sortie (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808, 908, 1008). Ledit circuit peut comporter également un premier transistor (11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 1021) possédant une électrode grille qui flotte électriquement ainsi qu’une zone active incluant une électrode porteuse de courant couplée à ladite borne de sortie. Ce circuit peut comprendre en outre un second transistor (12, 22, 32, 42, 52, 62, 72, 82, 92, 1002) qui possède une première électrode, couplée à l’électrode grille du premier transistor, et une seconde électrode couplée à la borne de changement de charge. Lorsque la cellule de mémoire change d’état, le second transistor est actif, et il ne se produit aucun transfert de porteurs de charge important entre l’électrode grille du premier transistor et la zone active de ce même transistor. D’autres modes de réalisation peuvent inclure le dispositif électronique lui-même ainsi qu’un procédé destiné à sa fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)