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1. (WO2009142756) ANTENNES SUR PUCE TRÈS EFFICACES ET UTILISANT UN COUPLAGE RÉSONNANT FORT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/142756    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/003169
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 22.05.2009
CIB :
H01Q 23/00 (2006.01), H01Q 3/24 (2006.01), H01Q 5/00 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, M/c 201-85 Pasadena, CA 91125 (US) (Tous Sauf US).
BABAKHANI, Aydin [IR/US]; (US) (US Seulement).
HAJIMIRI, Seyed, Ali [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BABAKHANI, Aydin; (US).
HAJIMIRI, Seyed, Ali; (US)
Mandataire : MILSTEIN, Joseph, B.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/128,553 22.05.2008 US
Titre (EN) ON-CHIP HIGHLY-EFFICIENT ANTENNAS USING STRONG RESONANT COUPLING
(FR) ANTENNES SUR PUCE TRÈS EFFICACES ET UTILISANT UN COUPLAGE RÉSONNANT FORT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an antenna structure for coupling electromagnetic energy between a chip and an off-chip element, including a first resonant structure disposed on or in a chip. The first resonant structure is configured to have a first resonant frequency. The antenna structure also includes a second resonant structure disposed on or in an off-chip element. The second resonant structure is configured to have a second resonant frequency substantially the same as the first resonant frequency. The first resonant structure and the second resonant structure are mutually disposed within a near field distance of each other to form a coupled antenna structure that is configured to couple electromagnetic energy between the chip and the off-chip element. The electromagnetic energy has a selected wavelength in a wavelength range from microwave to sub-millimeter wave. The invention also relates to a method of calculating dimensions for a highly coupled antenna structure.
(FR)Cette invention se rapporte à une structure d'antenne destinée à coupler une énergie électromagnétique entre une puce et un élément hors puce, comprenant une première structure résonnante disposée sur ou dans une puce. La première structure résonnante est configurée de manière à présenter une première fréquence de résonance. La structure d'antenne comprend également une seconde structure résonnante disposée sur ou dans un élément hors puce. La seconde structure résonnante est configurée de manière à présenter une seconde fréquence de résonance sensiblement identique à la première fréquence de résonance. La première structure résonnante et la seconde structure résonnante sont disposées de manière mutuelle à une distance de champ proche l'une de l'autre de manière à former une structure d'antenne couplée qui est configurée de façon à coupler une énergie électromagnétique entre la puce et l'élément hors puce. L'énergie électromagnétique présente une longueur d'onde sélectionnée comprise dans une plage de longueurs d'onde allant des micro-ondes aux ondes décimillimétriques. L'invention se rapporte également à un procédé de calcul des dimensions d'une structure d'antenne fortement couplée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)