Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2009142233) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2009/142233    International Application No.:    PCT/JP2009/059257
Publication Date: 26 nov. 2009 International Filing Date: 20 mai 2009
IPC: H01L 29/78
H01L 29/12
H01L 29/739
Applicants: Rohm Co., Ltd.
ローム株式会社
NAKANO Yuki
中野 佑紀
Inventors: NAKANO Yuki
中野 佑紀
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (A1) doté d’une première couche semi-conductrice de type n (11), d’une seconde couche semi-conductrice de type n (12), d’une couche semi-conductrice de type p (13), d’une tranchée (3), d’une couche isolante (5), d’une électrode de grille (41) et d’une région semi-conductrice de type n (14). La couche semi-conductrice de type p (13) est disposée le long de la tranchée (3) et comporte une région de canal en contact avec la seconde couche semi-conductrice de type n (12) et la région semi-conductrice de type n (14). La taille de la région de canal dans le sens de la profondeur (x) se situe entre 0,1 et 0,5 μm et la région de canal a une section à haute concentration présentant une pointe de concentration des impuretés d’approximativement 1x1018 cm-3. Ainsi, le dispositif à semi-conducteurs (A1) est autorisé à avoir des valeurs relativement excellentes de résistance à l’état passant, de tension de tenue et de tension de seuil.