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1. (WO2009142078) PROCEDE ET APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/142078    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/057566
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 15.04.2009
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : Fuji Electric Systems Co., Ltd. [JP/JP]; 11-2, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1410032 (JP) (Tous Sauf US).
URANO, Yuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAZAMA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : URANO, Yuichi; (JP).
KAZAMA, Kenichi; (JP)
Mandataire : OKUYAMA, Shoichi; 7th Floor, Akasaka Eight One Building 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-133977 22.05.2008 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及びそのための装置
Abrégé : front page image
(EN)A substrate to be processed is bonded on a supporting substrate, which has an outer shape larger than that of the substrate to be processed, with a photothermal conversion layer and an adhesive layer therebetween, and even when the surface, which is of the substrate to be processed and is opposite to the bonded surface, is processed, appearance failure on the processed surface of the substrate to be processed is prevented from being generated. An adhesive layer (4) is formed on one surface of a substrate (3) to be processed, a photothermal conversion layer (2) is formed on one surface of a supporting substrate (1) having a surface which has an outer shape larger than that of the surface of the substrate to be processed, and a laminated body is obtained by bonding the substrate (3) on the surface of the photothermal conversion layer (2) with the adhesive layer (4) therebetween. The laminated body is placed on a spin chuck (9) in a chamber (8) of a spin coater apparatus, an alkaline aqueous solution (11) is dropped onto a portion (2a), which is of the photothermal conversion layer (2) and exposed from the substrate to be processed, then, the exposed portion is cleaned by means of a high-pressure cleaning nozzle (12). Then, polishing, wet-processing and the like are performed to the surface of the substrate (3), and a semiconductor device is manufactured.
(FR)Selon l’invention, un substrat à traiter est lié sur un substrat de support présentant une forme extérieure plus grande que celle du substrat à traiter, une couche de conversion photothermique et une couche adhésive étant disposées entre les deux substrats. Même lorsque la surface du substrat à traiter, qui fait face à la surface liée, est traitée, les défauts d’aspect sur ladite surface traitée sont évités. Une couche adhésive (4) est formée sur une surface d’un substrat (3) à traiter; une couche de conversion photothermique (2) est formée sur une surface d’un substrat de support (1) présentant une surface de forme extérieure plus grande de celle de la surface du substrat à traiter; et un corps stratifié est obtenu par liaison du substrat (3) sur la surface de la couche de conversion photothermique (2), la couche adhésive (4) étant disposée entre les deux. Le corps stratifié est placé sur un mandrin rotatif (9) dans une chambre (8) d’appareil tournette; une solution alcaline aqueuse (11) est libérée goutte par goutte sur une partie (2a) de la couche de conversion photothermique (2) découverte par le substrat à traiter; puis la partie exposée est nettoyée au moyen d’une buse de nettoyage haute pression (12). Enfin, un polissage, un traitement humide et analogue sont effectués sur la surface du substrat (3) et on obtient un dispositif semi-conducteur.
(JA) 被処理基板よりも外形が大きい支持基板に、光熱変換層と接着剤層を介して被処理基板を貼り合わせ、この貼り合せた面とは反対側の被処理基板の面を処理しても、被処理基板の処理面に外観不良が発生することを防ぐ。 被処理基板(3)の一方の面に接着剤層(4)を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板(1)の一方の面に、光熱変換層(2)を形成し、この被処理基板(3)を光熱変換層(2)の表面上に接着剤層(4)を介して接着して積層体を得る。この積層体をスピンコーター装置のチャンバー(8)内のスピンチャック(9)上に載せ、光熱変換層(2)のうち、被処理基板から露出する部分(2a)に、アルカリ性水溶液(11)を滴下した後、高圧洗浄用ノズル(12)で洗浄する。その後、被処理基板(3)の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)