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1. (WO2009141811) TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/141811    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/052163
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 23.05.2009
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), B24B 1/00 (2006.01)
Déposants : DOUBLECHECK SEMICONDUCTORS PTE. LTD. [SG/SG]; 8 Changi South Lane, #03-01 Goodrich Building Singapore 486113 (SG) (Tous Sauf US).
BIECK, Florian [DE/SG]; (SG) (US Seulement).
SUKMADEVI ASFHANDY, Carolinda [DE/SG]; (SG) (US Seulement).
SPILLER, Sven-Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BIECK, Florian; (SG).
SUKMADEVI ASFHANDY, Carolinda; (SG).
SPILLER, Sven-Manfred; (DE)
Mandataire : SCHWEIGER, Martin; Schweiger & Partners (Singapore) LLP 251b Victoria Street Singapore 188035 (SG)
Données relatives à la priorité :
08104079.2 23.05.2008 EP
PCT/IB2009/050166 17.01.2009 IB
PCT/IB2009/050231 22.01.2009 IB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor wafer (12) with a thinned central portion (2) has a first side (3) and a second side (4) and at least one reinforcement structure for increasing the radial bending resistance of the semiconductor wafer (12). The reinforcement structure provides at least one passage (10) for a fluid flow between an inner face (9) of said one reinforcement structure towards an outer face (8) of the reinforcement structure. The passages (10) are manufactured in a z-direction coming from above the semiconductor wafer (12) in a direction which is essentially perpendicular to the surface, e.g. to the first side (3), of the semiconductor wafer (12).
(FR)L'invention porte sur une tranche de semi-conducteur (12) comportant une partie centrale amincie (2), laquelle tranche comprend un premier côté (3) et un second côté (4) et au moins une structure de renfort pour augmenter la résistance à la flexion radiale de la tranche de semi-conducteur (12). La structure de renfort forme au moins un passage (10) pour un écoulement de fluide entre une face interne (9) de ladite structure de renfort et une face externe (8) de la structure de renfort. Les passages (10) sont fabriqués dans une direction z provenant du dessus de la tranche de semi-conducteur (12) dans une direction qui est sensiblement perpendiculaire à la surface, par exemple au premier côté (3), de la tranche de semi-conducteur (12).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)