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1. (WO2009141740) TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/141740    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050231
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 22.01.2009
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), B24B 1/00 (2006.01)
Déposants : BIECK, Florian [DE/DE]; (DE).
SUKMADEVI ASFHANDY, Carolinda [DE/SG]; (SG).
SPILLER, Sven-Manfred [DE/DE]; (DE)
Inventeurs : BIECK, Florian; (DE).
SUKMADEVI ASFHANDY, Carolinda; (SG).
SPILLER, Sven-Manfred; (DE)
Mandataire : SCHWEIGER, Martin; Schweiger & Partners (Singapore) LLP 251B Victoria Street 188035 Singapore (SG)
Données relatives à la priorité :
08104079.2 23.05.2008 EP
PCT/IB2009/050166 17.01.2009 IB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor wafer and method for producing same A semiconductor wafer (12) with a thinned central portion (2) has a first side (3) and a second side (4) and at least one reinforcement structure for increasing the radial bending resistance of the semiconductor wafer (12). The reinforcement structure provides at least one passage (10) for a fluid flow between an inner face (9) of said one reinforcement structure towards an outer face (8) of the reinforcement structure.
(FR)Cette invention concerne une tranche semi-conductrice et un procédé de fabrication associé. Une tranche semi-conductrice (12) comportant une partie centrale amincie (2) possède un premier côté (3), un second côté (4) et au moins une structure de renfort permettant d’accroître la résistance à la flexion radiale de la tranche semi-conductrice (12). Ladite structure de renfort délimite au moins un passage (10) pour un écoulement de fluide entre sa face intérieure (9) et sa face extérieure (8).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)