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1. (WO2009141678) DISPOSITIF MOS COMPORTANT UNE DIODE SCHOTTKY INTÉGRÉE DANS UNE TRANCHÉE DE CONTACT DE RÉGION ACTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/141678    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/003964
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 12.11.2008
CIB :
H01L 21/338 (2006.01)
Déposants : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED [--/US]; Canon's Court 22 Victoria Street Hamilton HM12 Bermuda (BM) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BHALLA, Anup; (US).
WANG, Xiaobin; (US).
PAN, Ji; (US).
WEI, Sung-Po; (US)
Mandataire : FU, Diana, Y.; Van Pelt, Yi & James LLP 10050 N. Foothill Blvd. Suite 200 Cupertino, CA 95014 (US)
Données relatives à la priorité :
12/005,146 21.12.2007 US
Titre (EN) MOS DEVICE WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE IN ACTIVE REGION CONTACT TRENCH
(FR) DISPOSITIF MOS COMPORTANT UNE DIODE SCHOTTKY INTÉGRÉE DANS UNE TRANCHÉE DE CONTACT DE RÉGION ACTIVE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is formed on a semiconductor substrate. The device comprises a drain, an epitaxial layer overlaying the drain, and an active region. The active region comprises a body disposed in the epitaxial layer, having a body top surface and a body bottom surface, a source embedded in the body, extending from the body top surface into the body, a gate trench extending into the epitaxial layer, a gate disposed in the gate trench, an active region contact trench extending through the source and at least part of the body into the drain, wherein the active region contact trench is shallower than the body bottom surface, and an active region contact electrode disposed within the active region contact trench.
(FR)Un dispositif semi-conducteur est formé sur un substrat semi-conducteur. Le dispositif comprend un drain, une couche épitaxiale recouvrant le drain et une région active. La région active comprend un corps placé dans la couche épitaxiale, ledit corps présentant une surface supérieure et une surface inférieure; une source intégrée dans le corps et qui se déploie depuis la surface supérieure du corps à l'intérieur de celui-ci; une tranchée de grille se déployant dans la couche épitaxiale; une grille placée dans la tranchée de grille; une tranchée de contact de région active se déployant à travers la source et au moins une partie du corps dans le drain. La tranchée de contact de région active est moins profonde que la surface inférieure du corps, et une électrode de contact de région active est placée à l'intérieur de la tranchée de contact de région active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)