WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009140939) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE COUCHE RÉFLECTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/140939    N° de la demande internationale :    PCT/DE2009/000576
Date de publication : 26.11.2009 Date de dépôt international : 24.04.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
ALBRECHT, Tony [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna [PL/DE]; (DE) (US Seulement).
EICHINGER, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NEVELING, Kerstin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ALBRECHT, Tony; (DE).
WEIMAR, Andreas; (DE).
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna; (DE).
EICHINGER, Christian; (DE).
NEVELING, Kerstin; (DE)
Mandataire : MUCH, Florian; Epping Hermann Fischer Patentanwaltsgesellschaft mbH Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 024 327.2 20.05.2008 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER REFLEKTIERENDEN SCHICHT
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP COMPRISING A REFLECTIVE LAYER
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE COUCHE RÉFLECTRICE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einer ersten Kontaktstelle (1) und einer zweiten Kontaktstelle (2), - einer reflektierenden Schicht (3), die direkt elektrisch leitend an die zweite Kontaktstelle angeschlossen ist, wobei - die reflektierende Schicht ein zur Migration neigendes Metall enthält und - die reflektierende Schicht derart angeordnet ist, dass sich für das Metall ein Migrationspfad (4) zwischen der zweiten und der ersten Kontaktstelle ausbilden kann, wobei - am Halbleiterchip ein Mittel (6) vorgesehen ist, das im Betrieb des Halbleiterchips ein elektrisches Feld ausbildet, das der Migration des Metalls entgegenwirkt.
(EN)Disclosed is an optoelectronic semiconductor chip comprising a first contact point (1) and a second contact point (2) as well as a reflective layer (3) which is directly connected in an electrically conducting manner to the second contact point. The reflective layer contains a metal that tends to migrate. Furthermore, the reflective layer is arranged such that a migration path (4) for the metal can form between the second and the first contact point. The semiconductor chip further comprises a means (6) which generates an electric field counteracting the migration of the metal during operation of the semiconductor chip.
(FR)L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique, comprenant une première zone de contact (1) et une seconde zone de contact (2), une couche réflectrice (3) qui est directement jointe, par liaison électroconductrice, à la seconde zone de contact, la couche réflectrice contenant un métal tendant à migrer. La couche réflectrice est conçue de telle manière qu'un chemin de migration (4) peut se former pour le métal entre la première zone de contact et la seconde zone de contact. La puce semi-conductrice comprend en outre un moyen (6) qui produit un champ électrique s'opposant à la migration du métal lorsque la puce semi-conductrice est en service.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)