WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009140518) DÉPÔT ROTATIF EN PHASE VAPEUR AIDÉ PAR DES MICRO-ONDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/140518    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/043986
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 14.05.2009
CIB :
C23C 14/22 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.o. Box 450A Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
STOWELL, Michael, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
NEWCOMB, Richard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STOWELL, Michael, W.; (US).
NEWCOMB, Richard; (US)
Mandataire : BOUCHER, Patrick; (US).
BERNARD, Eugene; Townsend And Townsend And Crew Llp 1400 Wewatta Street, Suite 600 Denver, CO 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
12/120,391 14.05.2008 US
Titre (EN) MICROWAVE-ASSISTED ROTATABLE PVD
(FR) DÉPÔT ROTATIF EN PHASE VAPEUR AIDÉ PAR DES MICRO-ONDES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed invention uses a coaxial microwave antenna to enhance ionization in PVD or IPVD. The coaxial microwave antenna increases plasma density homogeneously adjacent to a sputtering cathode or target that is subjected to a power supply. The coaxial microwave source generates electromagnetic waves in a transverse electromagnetic (TEM) mode. The invention also uses a magnetron proximate the sputtering cathode or target to further enhance the sputtering. Furthermore, for high utilization of expensive target materials, a target can rotate to improve the utilization efficiency. The target comprises dielectric materials, metals, or semiconductors. The target also has a cross section being substantially symmetric about a central axis that the target rotates around. The target may have a substantially circular or annular a cross section.
(FR)L'invention concerne une antenne coaxiale hyperfréquence pour améliorer l'ionisation d'un dépôt physique en phase vapeur (DPV) ou un dépôt physique en phase vapeur ionisée DPVI. L'antenne coaxiale hyperfréquence augmente la densité de plasma de manière homogène à un emplacement adjacent à une cathode de pulvérisation ou à une cible qui est soumise à une alimentation électrique. La source de micro-ondes coaxiale produit des ondes électromagnétiques dans un mode électromagnétique transversal (TEM). L'invention utilise aussi un magnétron à proximité de la cathode de pulvérisation ou de la cible pour améliorer davantage la pulvérisation. De plus, pour une plus grande utilisation des matériaux de cible coûteux, une cible peut tourner pour améliorer l'efficacité de l'utilisation. La cible comporte des matériaux diélectriques, des métaux ou des semi-conducteurs. La cible présente également une coupe transversale qui est sensiblement symétrique autour d'un axe central autour duquel la cible tourne. La cible peut avoir une coupe transversale sensiblement circulaire ou annulaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)