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1. (WO2009140274) ANODES À HAUT RENDEMENT VOLUMÉTRIQUE POUR CONDENSATEURS ÉLECTROLYTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/140274    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/043623
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 12.05.2009
CIB :
H01G 4/005 (2006.01), H01G 4/228 (2006.01)
Déposants : KEMET ELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 2835 Kemet Way Simpsonville, SC 29681 (US) (Tous Sauf US).
FREEMAN, Yuri [US/US]; (US) (US Seulement).
LESSNER, Philip, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
POLTORAK, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
HUSSEY, Steven, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FREEMAN, Yuri; (US).
LESSNER, Philip, M.; (US).
POLTORAK, Jeffrey; (US).
HUSSEY, Steven, C.; (US)
Mandataire : HARDAWAY, John, B.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/118,831 12.05.2008 US
Titre (EN) HIGH VOLUMETRIC EFFICIENCY ANODES FOR ELECTROLYTIC CAPACITORS
(FR) ANODES À HAUT RENDEMENT VOLUMÉTRIQUE POUR CONDENSATEURS ÉLECTROLYTIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method for treating anodes of refractory valve metals by deoxidizing the anodes using Mg in an oven, prior to sintering. The process limits free oxygen in the metal compact and improves performance of a capacitor, especially with regards to rated voltage.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'anodes en métaux à effet de valve réfractaires, par désoxydation des anodes à l'aide de magnésium dans un four avant frittage. Le procédé limite l'oxygène libre dans le comprimé métallique et améliore le rendement d'un condensateur, particulièrement en ce qui concerne la tension nominale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)