WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009140099) PROCÉDÉS DE CRÉATION DE STRUCTURES ANTIREFLET POUR CAPTEURS D'IMAGES CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/140099    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/042766
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 05.05.2009
CIB :
H01L 31/112 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
ADKISSON, James, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
ELLIS-MONAGHAN, John, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
GAMBINO, Jeffrey, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
MUSANTE, Charles, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ADKISSON, James, W.; (US).
ELLIS-MONAGHAN, John, J.; (US).
GAMBINO, Jeffrey, P.; (US).
MUSANTE, Charles, F.; (US)
Mandataire : CANALE, Anthony, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/120,459 14.05.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR FORMING ANTI-REFLECTION STRUCTURES FOR CMOS IMAGE SENSORS
(FR) PROCÉDÉS DE CRÉATION DE STRUCTURES ANTIREFLET POUR CAPTEURS D'IMAGES CMOS
Abrégé : front page image
(EN)Protuberances (5), having vertical (h) and lateral (p) dimensions less than the wavelength range of lights detectable by a photodiode (8), are formed at an optical interface between two layers having different refractive indices. The protuberances may be formed by employing self-assembling block copolymers that form an array of sub lithographic features of a first polymeric block component (112) within a matrix of a second polymeric block component (111). The pattern of the polymeric block component is transferred into a first optical layer (4) to form an array of nanoscale protuberances. Alternately, conventional lithography may be employed to form protuberances having dimensions less than the wavelength of light. A second optical layer is formed directly on the protuberances of the first optical layer. The interface between the first and second optical layers has a graded refractive index, and provides high transmission of light with little reflection.
(FR)Selon l'invention, des protubérances (5), dont les dimensions verticales (h) et latérales (p) sont inférieures à la gamme de longueurs d'onde de lumières décelables par une photodiode (8), sont formées au niveau d'une interface optique située entre deux couches présentant des indices de réfraction différents. Les protubérances peuvent être formées au moyen de copolymères séquencés d'auto-assemblage formant un réseau d'éléments sublithographiques d'un premier constituant bloc polymère (112) dans une matrice d'un second constituant bloc polymère (111). Le motif du constituant bloc polymère est transféré dans une première couche optique (4) afin de former un réseau de protubérances d'échelle nanométrique. En variante, des techniques de lithographie classique peuvent être utilisées pour former des protubérances dont les dimensions sont inférieures à la longueur d'onde de la lumière. Une seconde couche optique est formée directement sur les protubérances de la première couche optique. L'interface située entre la première et la seconde couche optique présente un indice de réfraction échelonné, et assure une transmission de la lumière élevée pour une faible réflexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)