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1. (WO2009139958) CAPTEUR CAPACITIF À SYSTÈME MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUE COMMANDÉ PAR L'ARRIÈRE ET INTERFACE ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139958    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/037942
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 23.03.2009
CIB :
H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : CUSTOM SENSORS & TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 14501 Princeton Avenue Moorpark, CA 93021 (US) (Tous Sauf US).
SEESINK, Peter [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
ABED, Omar [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SEESINK, Peter; (NL).
ABED, Omar; (US)
Mandataire : BERMAN, Rod, S.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/121,070 15.05.2008 US
Titre (EN) BACKSIDE CONTROLLED MEMS CAPACITIVE SENSOR AND INTERFACE AND METHOD
(FR) CAPTEUR CAPACITIF À SYSTÈME MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUE COMMANDÉ PAR L'ARRIÈRE ET INTERFACE ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)Described herein is the sense element assembly for a capacitive pressure sensor and method for creating same that has increased sensitivity despite the parasitic capacitance that is created. The capacitive sensor element assembly, comprises a first semiconductive layer, and a first conductive layer, a first dielectric layer into which a cavity has been formed, the dielectric layer lying between the first semiconductive layer and the first conductive layer, wherein an electrical connection is made to the second conductive layer. A preferred method for fabricating a capacitive sensor assembly of the present invention comprises the steps of forming a dielectric layer on top of a conductive handle wafer; creating at least one cavity in the dielectric layer, bonding a thin semiconductive layer to the dielectric layer and connecting an operational amplifier to the input of the capacitive sensor assembly to overcome the parasitic capacitance formed during fabrication.
(FR)L'invention porte sur un ensemble élément de détection pour un détecteur de pression capacitif et sur un procédé de création correspondant qui présente une sensibilité accrue en dépit de la capacité parasite qui est créée. L'ensemble élément de détecteur capacitif comporte une première couche semi-conductrice et une première couche conductrice, une première couche diélectrique à l'intérieur de laquelle une cavité a été formée, la couche diélectrique reposant entre la première couche semi-conductrice et la première couche conductrice, une connexion électrique étant réalisée vers la seconde couche conductrice. Un procédé préféré pour fabriquer un ensemble de détecteur capacitif de la présente invention consiste à former une couche diélectrique sur le dessus d'une tranche de manipulation conductrice; à créer au moins une cavité dans la couche diélectrique, à lier une couche semi-conductrice mince à la couche diélectrique et à connecter un amplificateur opérationnel à l'entrée de l'ensemble de détecteur capacitif pour surmonter la capacité parasite formée pendant la fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)