Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2009139491 - APPAREIL D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2009/139491
Date de publication 19.11.2009
N° de la demande internationale PCT/JP2009/059232
Date du dépôt international 13.05.2009
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70341
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70341Immersion
G03F 7/70775
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70775Position control
Déposants
  • NIKON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KANAYA, Yuho [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KANAYA, Yuho
Mandataires
  • TATEISHI, Atsuji
Données relatives à la priorité
12/463,58611.05.2009US
61/071,69413.05.2008US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Abrégé
(EN)
In an exposure apparatus of a liquid immersion exposure method, there is a case when a wafer table (WTB) holding a wafer (W) moves, a liquid immersion area (ALq) formed by liquid supplied in a space between the wafer table (WTB) and a projection optical system (PL) passes over a head (60A to 60D) mounted on the wafer table(WTB). Therefore, for a head (60C) over which the liquid immersion area (ALq) has passed, the residual presence of the liquid is detected based on an amount of light of a reflected light received by the light receiving element which receives the reflected light from the wafer table surface. And, of a plurality of heads, positional information of the wafer table (WTB) is measured, based on measurement values of a head that had no liquid remaining in the detection.
(FR)
Selon l'invention, dans un appareil d'exposition d'un procédé d'exposition par immersion dans un liquide, il existe un cas dans lequel, lorsqu'un porte-tranche (WTB) portant une tranche (W) se déplace, une zone d'immersion dans un liquide (ALq) formée par un liquide distribué dans un espace entre le porte-tranche (WTB) et un système optique de projection (PL) passe sur une tête (60A à 60D) montée sur le porte-tranche (WTB). Par conséquent, pour une tête (60C) sur laquelle la zone d'immersion dans un liquide (ALq) est passée, la présence résiduelle du liquide est détectée sur la base d'une quantité de lumière d'une lumière réfléchie reçue par l'élément de réception de lumière qui reçoit la lumière réfléchie provenant de la surface de porte-tranche. Et, parmi une pluralité de têtes, des informations de position du porte-tranche (WTB) sont mesurées, sur la base de valeurs de mesure d'une tête qui n'a pas de liquide restant dans la détection.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international