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1. (WO2009139428) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OU APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139428    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/058950
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 07.05.2009
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
KAJI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OFUJI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAI, Yasuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Takehiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANEKO, Norio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Ryo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAJI, Nobuyuki; (JP).
OFUJI, Masato; (JP).
TAKAI, Yasuyoshi; (JP).
KAWASAKI, Takehiko; (JP).
KANEKO, Norio; (JP).
HAYASHI, Ryo; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-124857 12.05.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE OR APPARATUS, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OU APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device or apparatus (40) having at least a semiconductor as a component, characterized by including irradiating the semiconductor with light (42) having a longer wavelength than the absorption edge wavelength of the semiconductor to change the threshold voltage of the semiconductor device or apparatus, and checking the threshold voltage of the semiconductor device or apparatus, after or during irradiation with the light, to determine whether the threshold voltage is in a predetermined range, during manufacturing the semiconductor device or apparatus.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif ou appareil à semi-conducteur (40) ayant au moins un semi-conducteur en tant que composant, caractérisé par le fait qu'il comprend l'irradiation du semi-conducteur avec de la lumière (42) ayant une longueur d'onde plus longue que la longueur d'onde de front d'absorption du semi-conducteur pour changer la tension de seuil du dispositif ou appareil à semi-conducteur, et la vérification de la tension de seuil du dispositif ou appareil à semi-conducteur, après ou pendant l'irradiation de la lumière, pour déterminer si ou non la tension de seuil est dans une plage prédéterminée, pendant la fabrication du dispositif ou appareil à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)