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1. (WO2009139366) SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139366    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/058811
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 12.05.2009
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), C23C 18/16 (2006.01), C23C 18/31 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants : NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (Tous Sauf US).
IMORI, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HISUMI, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IMORI, Toru; (JP).
HISUMI, Yoshiyuki; (JP)
Mandataire : SAKAI, Masami; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-127836 15.05.2008 JP
Titre (EN) SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT
(JA) 基板
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a substrate wherein resistances of a gate electrode and a source/drain region are reduced and current efficiency is increased.  Furthermore, the substrate makes microminiaturization possible and can be manufactured without requiring a complicated process. A metal is selectively deposited on a surface of one or a plurality of regions composed of a predetermined composition on a base material having, on a surface, the region composed of the composition different from that of the surrounding regions, and heat treatment is performed.  On a part of or the entire region whereupon the metal is deposited, a compound, which is composed of the metal and an element constituting the base material surface region whereupon the metal is deposited, is formed.  It is preferable that the compound, which is composed of the metal and the element constituting the base material surface region whereupon the metal is deposited, is formed on a part of the region whereupon the metal is deposited, and that a part of the deposited metal is left as an unreacted metal.
(FR)L'invention porte sur un substrat dans lequel des résistances d'une électrode de grille et d'une région de source/drain sont réduites et un rendement en courant est accru. En outre, le substrat rend une micro-miniaturisation possible et peut être fabriqué sans nécessiter un traitement compliqué. Un métal est déposé de manière sélective sur une surface de l'une ou d'une pluralité de régions composées d'une composition prédéterminée sur un matériau de base ayant, sur une surface, la région composée de la composition différente de celle des régions environnantes, et un traitement thermique est réalisé. Sur une partie ou sur la totalité de la région sur laquelle le métal est déposé, un composé, qui est composé du métal et d'un élément constituant la région de surface de matériau de base sur laquelle le métal est déposé, est formé. Il est préférable que le composé, qui est composé du métal et de l'élément constituant la région de surface de matériau de base sur laquelle le métal est déposé, soit formé sur une partie de la région sur laquelle le métal est déposé, et qu'une partie du métal déposé soit laissée en tant que métal n'ayant pas réagi.
(JA) 本発明は、ゲート電極およびソース・ドレイン領域の抵抗を下げることができ、電流効率を上げることができる基板を提供することを目的とする。さらに、微細化が可能であり、煩雑な工程を必要とせずに製造可能である基板を提供することを目的とする。  表面に周囲とは異なる組成の領域部分を有する基材の、特定の一つまたは複数の該組成の領域部分の表面に選択的に、金属を堆積し、熱処理を施して、金属が堆積した領域部分の一部または全てで当該金属と、金属が堆積した基材表面領域部分を構成する元素との化合物を形成してなる基板であり、金属が堆積した領域部分の一部で当該金属と、金属が堆積した基材表面領域部分を構成する元素との化合物を形成し、かつ堆積させた該金属の一部が未反応の金属として残ってなることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)