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1. (WO2009139312) CAPTEUR DE DISTANCE ET CAPTEUR D'IMAGE DE DISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/139312    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/058572
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 01.05.2009
CIB :
G01S 17/89 (2006.01), G01S 17/10 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
MASE Mitsuhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MASE Mitsuhito; (JP).
SUZUKI Takashi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-128681 15.05.2008 JP
Titre (EN) RANGE SENSOR AND RANGE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DISTANCE ET CAPTEUR D'IMAGE DE DISTANCE
(JA) 距離センサ及び距離画像センサ
Abrégé : front page image
(EN)A range image sensor has an imaging region composed of a plurality of two-dimensionally arranged units (pixels (P)) on a semiconductor substrate, and obtains a range image based on charge quantities (QL, QR) outputted from the units. One unit is provided with a charge generating region (outer region of a transfer electrode (5)) where charges are generated corresponding to inputted light; at least two semiconductor regions (3) arranged spatially apart from each other, for collecting charges generated from the charge generating region; and a transfer electrode (5), which is arranged at each periphery of the semiconductor region (3), has charge transfer signals, which are of different phases and transmitted thereto, and surrounds the semiconductor region (3).
(FR)La présente invention concerne un capteur d'image de distance comportant une région d'imagerie composée d'une pluralité d'unités disposées de manière bidimensionnelle (pixels (P)) sur un substrat semi-conducteur et capable d'obtenir une image de distance sur la base de quantités de charges (QL, QR) délivrées par les unités. Une unité est dotée d'une région de génération de charges (région extérieure d'une électrode de transfert (5)) dans laquelle des charges sont générées de façon à correspondre à la lumière entrée; au moins deux régions semi-conductrices (3) disposées l'une de manière éloignée l'une de l'autre dans l'espace, pour collecter des charges générées par la région de génération de charges; et une électrode de transfert (5), laquelle est disposée à chaque périphérie de la région semi-conductrice (3), comprend des signaux de transfert de charges, lesquels ont des phases différentes et lui sont transmis, et entoure la région semi-conductrice (3).
(JA) この距離画像センサは、二次元状に配置された複数のユニット(画素P)からなる撮像領域を半導体基板上に備え、ユニットから出力される電荷量Q,Qに基づいて、距離画像を得る距離画像センサにおいて、1つのユニットは、入射光に応じて電荷が発生する電荷発生領域(転送電極5の外側の領域)と、空間的に離間して配置され、電荷発生領域からの電荷を収集する少なくとも2つの半導体領域3と、半導体領域3のそれぞれの周囲に設けられ、異なる位相の電荷転送信号が与えられ、半導体領域3を囲む転送電極5とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)