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1. (WO2009138539) DÉTECTEUR DE CRÊTE POSITIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/138539    N° de la demande internationale :    PCT/ES2009/000256
Date de publication : 19.11.2009 Date de dépôt international : 12.05.2009
CIB :
G01R 19/04 (2006.01), H03F 1/32 (2006.01)
Déposants : UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA [ES/ES]; C/ Pedro Cerbuna, 12 50009 Zaragoza (ES) (Tous Sauf US).
CELMA PUEYO, Santiago; (ES) (US Seulement).
CALVO LÓPEZ, Belén [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
ALEGRE PÉREZ, Juan Pablo [ES/ES]; (ES) (US Seulement)
Inventeurs : CELMA PUEYO, Santiago; (ES).
CALVO LÓPEZ, Belén; (ES).
ALEGRE PÉREZ, Juan Pablo; (ES)
Données relatives à la priorité :
P200801359 12.05.2008 ES
Titre (EN) POSITIVE PEAK DETECTOR
(ES) DETECTOR DE PICO POSITIVO
(FR) DÉTECTEUR DE CRÊTE POSITIVE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a positive peak detector (1') that has been specially designed to operate at high frequencies with low power consumption, formed by a cell Gm (2'), a current mirror (3') formed by two CMOS transistors (M'6 and M'7) and a capacitor assembly (4'), in which a capacitor (C) stores the peak voltage (V'p) and is discharged progressively by means of a current source (l'4). The invention comprises the use of a high-performance cell Gm (2') formed by five CMOS transistors, four (M'1-M'4) of which are disposed symmetrically in pairs excited by a pair of current sources (l'1, I'2), while the fifth CMOS transistor (M'5) is excited by another current source (I'3).
(ES)Se describe un detector de pico positivo (1 ') especialmente diseñado para funcionar a altas frecuencias con un bajo consumo, formado por una celda Gm (2'), un espejo de corriente (3'), formado por dos transistores CMOS (M'6 y M'7), y un conjunto de condensador (4'), donde un condensador (C) almacena Ia tensión de pico (V'p), y se descarga paulatinamente a través de una fuente de intensidad (l'4). Se emplea una celda Gm de alto rendimiento (2') formada por cinco transistores CMOS, cuatro de ellos (M'1-M'4) dispuestos simétricamente dos a dos excitados por un par de fuentes de intensidad (l'1, I'2), y el quinto transistor CMOS (M'5), excitado por otra fuente de intensidad (I'3).
(FR)L'invention porte sur un détecteur de crête positive (1 ') conçu tout particulièrement pour fonctionner à de hautes fréquences avec une faible consommation d'énergie. Le détecteur selon l'invention est composé d'une cellule Gm (2'), d'un miroir de courant (3') formé de deux transistors CMOS (M'6 y M'7), et d'un ensemble condensateur (4'), le condensateur (C) stockant la tension de crête (V'p) et se déchargeant petit à petit à travers une source d'intensité (l'4). L'invention fait appel à une cellule Gm à haut rendement (2') formée de cinq transistors CMOS, dont quatre (M'1-M'4) sont disposés symétriquement deux à deux et sont excités par une paire de sources d'intensité (l'1, I'2), le cinquième transistor CMOS (M'5) étant excité par une autre source d'intensité (I'3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : espagnol (ES)
Langue de dépôt : espagnol (ES)